Optical functions of silicon from reflectance and ellipsometry
on silicon-on-insulator and homoepitaxial samples

J 2015

Optical functions of silicon from reflectance and ellipsometry on silicon-on-insulator and homoepitaxial samples

HUMLÍČEK, Josef a Jan ŠIK

Základní údaje

Originální název

Optical functions of silicon from reflectance and ellipsometry on silicon-on-insulator and homoepitaxial samples

Autoři

HUMLÍČEK, Josef a Jan ŠIK

Vydání

Journal of Applied Physics, Melville (USA), American Institute of Physics, 2015, 0021-8979

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 2.101

Označené pro přenos do RIV

Ano

Kód RIV

RIV/00216224:14740/15:00086016

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

Klíčová slova česky

křemík; optické funkce

Klíčová slova anglicky

silicon; optical functions

Štítky

rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

Změněno: 5. 4. 2016 13:54, Mgr. Eva Špillingová

Anotace

ORIG CZ

V originále

The optical properties of silicon have been determined from 0.2 to 6.5 eV at room temperature, using reflectance spectra of silicon-on-insulator (SOI) and ellipsometric spectra of homoepitaxial samples. Optimized Fabry-Perot-type SOI resonators exhibit high finesse even in near ultraviolet. Very high precision values of the real part of the refractive index are obtained in infrared up to a photon energy of 1.3 eV. The spectra of the extinction coefficient, based on observations of light attenuation, extend to 3.2 eV due to measurements on SOI layers as thin as 87 nm. These results allowed us to correct spectroellipsometric data on homoepitaxial samples for the presence of reduced and stabilized surface layers.

Česky

Optické vlastnosti křemíku byly určeny v oblasti od 0.2 do 6.5 eV při pokojové teplotě, z reflexních spekter struktur SOI a elipsometrických spekter homoepitaxních vzorků.Optimalizované rezonátory SOI vykazují velkou jemnost až do blízké ultrafialové oblasti. Velmi přesné hodnoty reálné části indexu lomu vycházejí v infračerveném oboru až do energie fotonu 1.3 eV. Spektra extginkčního koeficientu určená z útlumu světla pokrývají rozsah do 3.2 eV, díky tenkým vrstvám Si ve struktuře SOI s tloušťkou až 87 nm. Tyto výsledky umožňují korigovat spektroelipsometrická data na homoepitaxních vrstvách na přítomnost redukované a stabilizované povrchové vrstvy oxidu.

Návaznosti

ED1.1.00/02.0068, projekt VaV

Název: CEITEC - central european institute of technology

Citovat

HUMLÍČEK, Josef a Jan ŠIK. Optical functions of silicon from reflectance and ellipsometry on silicon-on-insulator and homoepitaxial samples. Journal of Applied Physics. Melville (USA): American Institute of Physics, 2015, roč. 118, č. 19, s. nestránkováno, 6 s. ISSN 0021-8979. Dostupné z: https://doi.org/10.1063/1.4936126.

@article{1331073,
   author = {Humlíček, Josef and Šik, Jan},
   article_location = {Melville (USA)},
   article_number = {19},
   doi = {https://doi.org/10.1063/1.4936126},
   keywords = {silicon; optical functions},
   language = {eng},
   issn = {0021-8979},
   journal = {Journal of Applied Physics},
   title = {Optical functions of silicon from reflectance and ellipsometry on silicon-on-insulator and homoepitaxial samples},
   url = {http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/118/19/10.1063/1.4936126},
   volume = {118},
   year = {2015}
}

TY  - JOUR
ID  - 1331073
AU  - Humlíček, Josef - Šik, Jan
PY  - 2015
TI  - Optical functions of silicon from reflectance and ellipsometry on silicon-on-insulator and homoepitaxial samples
JF  - Journal of Applied Physics
VL  - 118
IS  - 19
SP  - nestránkováno
EP  - nestránkováno
PB  - American Institute of Physics
SN  - 00218979
KW  - silicon
KW  - optical functions
UR  - http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/118/19/10.1063/1.4936126
L2  - http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/118/19/10.1063/1.4936126
N2  - The optical properties of silicon have been determined from 0.2 to 6.5 eV at room temperature, using reflectance spectra of silicon-on-insulator (SOI) and ellipsometric spectra of homoepitaxial samples. Optimized Fabry-Perot-type SOI resonators exhibit high finesse even in near ultraviolet. Very high precision values of the real part of the refractive index are obtained in infrared up to a photon energy of 1.3 eV. The spectra of the extinction coefficient, based on observations of light attenuation, extend to 3.2 eV due to measurements on SOI layers as thin as 87 nm. These results allowed us to correct spectroellipsometric data on homoepitaxial samples for the presence of reduced and stabilized surface layers.
ER  -

HUMLÍČEK, Josef a Jan ŠIK. Optical functions of silicon from reflectance and ellipsometry on silicon-on-insulator and homoepitaxial samples. \textit{Journal of Applied Physics}. Melville (USA): American Institute of Physics, 2015, roč.~118, č.~19, s.~nestránkováno, 6 s. ISSN~0021-8979. Dostupné z: https://doi.org/10.1063/1.4936126.

Přehled o publikaci