J 2015

Excitonic fine structure splitting in type-II quantum dots

KŘÁPEK, Vlastimil, Petr KLENOVSKÝ a Tomáš ŠIKOLA

Základní údaje

Originální název

Excitonic fine structure splitting in type-II quantum dots

Autoři

KŘÁPEK, Vlastimil (203 Česká republika), Petr KLENOVSKÝ (203 Česká republika, garant, domácí) a Tomáš ŠIKOLA (203 Česká republika)

Vydání

Physical Review B, COLLEGE PK, The American Physical Society, 2015, 1098-0121

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

Impakt faktor

Impact factor: 3.736 v roce 2014

Kód RIV

RIV/00216224:14310/15:00080412

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

DOI

UT WoS

000365507900004

Klíčová slova anglicky

POLARIZATION-ENTANGLED PHOTONS; WAVELENGTH LIGHT-EMISSION; STRAIN-REDUCING LAYER; OPTICAL-PROPERTIES; MU-M; GAASSB; NANOCRYSTALS; PHOTOLUMINESCENCE; LOCALIZATION; RELAXATION

Štítky

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 18. 3. 2018 10:28, Mgr. Petr Klenovský, Ph.D.

Anotace

V originále

Excitonic fine structure splitting in quantum dots is closely related to the lateral shape of the wave functions. We have studied theoretically the fine structure splitting in InAs quantum dots with a type-II confinement imposed by a GaAsSb capping layer. We show that very small values of the fine structure splitting comparable with the natural linewidth of the excitonic transitions are achievable for realistic quantum dots despite the structural elongation and the piezoelectric field. For example, varying the capping layer thickness allows for a fine tuning of the splitting energy. The effect is explained by a strong sensitivity of the hole wave function to the quantum dot structure and a mutual compensation of the electron and hole anisotropies. The oscillator strength of the excitonic transitions in the studied quantum dots is comparable to those with a type-I confinement which makes the dots attractive for quantum communication technology as emitters of polarization-entangled photon pairs.

Návaznosti

CZ.1.07/2.3.00/20.0027, interní kód MU
(Kód CEP: EE2.3.20.0027)
Název: NANOE - Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano- a mikrotechnologií (Akronym: NANOE)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, NANOE - Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano- a mikrotechnologií, 2.3 Lidské zdroje ve výzkumu a vývoji
ED1.1.00/02.0068, projekt VaV
Název: CEITEC - central european institute of technology
MUNI/A/1496/2014, interní kód MU
Název: Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů IV
Investor: Masarykova univerzita, Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů IV, DO R. 2020_Kategorie A - Specifický výzkum - Studentské výzkumné projekty
TH01010419, projekt VaV
Název: Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)
Investor: Technologická agentura ČR, Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)