Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots

KLENOVSKÝ, Petr; Dušan HEMZAL; Petr STEINDL; Markéta ZÍKOVA; Vlastimil KŘÁPEK a Josef HUMLÍČEK. Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots. Physical Review B. COLLEGE PK: The American Physical Society, 2015, roč. 92, č. 24, s. "nestránkováno", 5 s. ISSN 1098-0121. Dostupné z: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.92.241302.

Základní údaje

Originální název

Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots

Autoři

KLENOVSKÝ, Petr; Dušan HEMZAL; Petr STEINDL; Markéta ZÍKOVA; Vlastimil KŘÁPEK a Josef HUMLÍČEK

Vydání

Physical Review B, COLLEGE PK, The American Physical Society, 2015, 1098-0121

---

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 3.736 v roce 2014

Označené pro přenos do RIV

Ano

Kód RIV

RIV/00216224:14310/15:00080413

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

DOI

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.92.241302

UT WoS

000366496300002

EID Scopus

2-s2.0-84952313690

Klíčová slova anglicky

quantum dots; type-II bandalignment; photoluminescence; polarization

Štítky

AKR, rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

---

Anotace

V originále

We study the polarization response of the emission from type-II GaAsSb capped InAs quantum dots. The theoretical prediction based on the calculations of the overlap integrals of the single-particle states obtained in the (k) over right arrow . (p) over right arrow framework is given. This is verified experimentally by polarization resolved photoluminescence measurements on samples with the type-II confinement. We show that the polarization anisotropy might be utilized to find the vertical position of the hole wave function and its orientation with respect to crystallographic axes of the sample. A proposition for usage in the information technology as a room temperature photonic gate operating at the communication wavelengths as well as a simple model to estimate the energy of fine-structure splitting for type-II GaAsSb capped InAs QDs are given.

---

Návaznosti

CZ.1.07/2.3.00/20.0027, interní kód MU (Kód CEP: EE2.3.20.0027)	Název: NANOE - Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano- a mikrotechnologií (Akronym: NANOE) Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, NANOE - Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano- a mikrotechnologií, 2.3 Lidské zdroje ve výzkumu a vývoji
ED1.1.00/02.0068, projekt VaV	Název: CEITEC - central european institute of technology
MUNI/A/1496/2014, interní kód MU	Název: Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů IV Investor: Masarykova univerzita, Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů IV, DO R. 2020_Kategorie A - Specifický výzkum - Studentské výzkumné projekty
TH01010419, projekt VaV	Název: Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT) Investor: Technologická agentura ČR, Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)