Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots

KLENOVSKÝ, Petr, Dušan HEMZAL, Petr STEINDL, Markéta ZÍKOVA, Vlastimil KŘÁPEK a Josef HUMLÍČEK. Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots. Online. Physical Review B. COLLEGE PK: The American Physical Society, 2015, roč. 92, č. 24, s. "nestránkováno", 5 s. ISSN 1098-0121. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.92.241302. [citováno 2024-04-23]

Základní údaje

• Originální název: Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots
• Autoři: KLENOVSKÝ, Petr (203 Česká republika, garant, domácí), Dušan HEMZAL (203 Česká republika, domácí), Petr STEINDL (203 Česká republika, domácí), Markéta ZÍKOVA (203 Česká republika), Vlastimil KŘÁPEK (203 Česká republika) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, domácí)
• Vydání: Physical Review B, COLLEGE PK, The American Physical Society, 2015, 1098-0121.

Další údaje

• Originální jazyk: angličtina
• Typ výsledku: Článek v odborném periodiku
• Obor: 10302 Condensed matter physics
• Stát vydavatele: Spojené státy
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• WWW: URL
• Impakt faktor: Impact factor: 3.736 v roce 2014
• Kód RIV: RIV/00216224:14310/15:00080413
• Organizační jednotka: Přírodovědecká fakulta
• Doi: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.92.241302
• UT WoS: 000366496300002
• Klíčová slova anglicky: quantum dots; type-II bandalignment; photoluminescence; polarization
• Štítky: AKR, rivok
• Příznaky: Mezinárodní význam, Recenzováno

Anotace

We study the polarization response of the emission from type-II GaAsSb capped InAs quantum dots. The theoretical prediction based on the calculations of the overlap integrals of the single-particle states obtained in the (k) over right arrow . (p) over right arrow framework is given. This is verified experimentally by polarization resolved photoluminescence measurements on samples with the type-II confinement. We show that the polarization anisotropy might be utilized to find the vertical position of the hole wave function and its orientation with respect to crystallographic axes of the sample. A proposition for usage in the information technology as a room temperature photonic gate operating at the communication wavelengths as well as a simple model to estimate the energy of fine-structure splitting for type-II GaAsSb capped InAs QDs are given.

Návaznosti

• CZ.1.07/2.3.00/20.0027, interní kód MU(Kód CEP: EE2.3.20.0027): Název: NANOE - Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano- a mikrotechnologií (Akronym: NANOE)

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, NANOE - Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano- a mikrotechnologií, 2.3 Lidské zdroje ve výzkumu a vývoji

• ED1.1.00/02.0068, projekt VaV: Název: CEITEC - central european institute of technology
• MUNI/A/1496/2014, interní kód MU: Název: Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů IV

Investor: Masarykova univerzita, Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů IV, DO R. 2020_Kategorie A - Specifický výzkum - Studentské výzkumné projekty

• TH01010419, projekt VaV: Název: Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)

Investor: Technologická agentura ČR, Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)