Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots

KLENOVSKÝ, Petr, Dušan HEMZAL, Petr STEINDL, Markéta ZÍKOVA, Vlastimil KŘÁPEK a Josef HUMLÍČEK. Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots. Physical Review B. COLLEGE PK: The American Physical Society, 2015, roč. 92, č. 24, s. "nestránkováno", 5 s. ISSN 1098-0121. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.92.241302.

Základní údaje

Originální název

Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots

Autoři

KLENOVSKÝ, Petr (203 Česká republika, garant, domácí), Dušan HEMZAL (203 Česká republika, domácí), Petr STEINDL (203 Česká republika, domácí), Markéta ZÍKOVA (203 Česká republika), Vlastimil KŘÁPEK (203 Česká republika) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, domácí)

Vydání

Physical Review B, COLLEGE PK, The American Physical Society, 2015, 1098-0121

---

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 3.736 v roce 2014

Kód RIV

RIV/00216224:14310/15:00080413

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

DOI

http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.92.241302

UT WoS

000366496300002

Klíčová slova anglicky

quantum dots; type-II bandalignment; photoluminescence; polarization

Štítky

AKR, rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

---

Anotace

V originále

We study the polarization response of the emission from type-II GaAsSb capped InAs quantum dots. The theoretical prediction based on the calculations of the overlap integrals of the single-particle states obtained in the (k) over right arrow . (p) over right arrow framework is given. This is verified experimentally by polarization resolved photoluminescence measurements on samples with the type-II confinement. We show that the polarization anisotropy might be utilized to find the vertical position of the hole wave function and its orientation with respect to crystallographic axes of the sample. A proposition for usage in the information technology as a room temperature photonic gate operating at the communication wavelengths as well as a simple model to estimate the energy of fine-structure splitting for type-II GaAsSb capped InAs QDs are given.

---

Návaznosti

CZ.1.07/2.3.00/20.0027, interní kód MU (Kód CEP: EE2.3.20.0027)	Název: NANOE - Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano- a mikrotechnologií (Akronym: NANOE) Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, NANOE - Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano- a mikrotechnologií, 2.3 Lidské zdroje ve výzkumu a vývoji
ED1.1.00/02.0068, projekt VaV	Název: CEITEC - central european institute of technology
MUNI/A/1496/2014, interní kód MU	Název: Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů IV Investor: Masarykova univerzita, Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů IV, DO R. 2020_Kategorie A - Specifický výzkum - Studentské výzkumné projekty
TH01010419, projekt VaV	Název: Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT) Investor: Technologická agentura ČR, Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)