2016
GaAs/Ge crystals grown on Si substrates patterned down to the micron scale
TABOADA, AG; Mojmír MEDUŇA; M. SALVALAGLIO; F. ISA; T. KREILIGER et. al.Základní údaje
Originální název
GaAs/Ge crystals grown on Si substrates patterned down to the micron scale
Název česky
GaAs/Ge krystaly pěstované na Si substrátech vzorkované až k mikronovému měřítku
Autoři
TABOADA, AG (724 Španělsko); Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika, garant, domácí); M. SALVALAGLIO (380 Itálie); F. ISA (380 Itálie); T. KREILIGER (756 Švýcarsko); CV FALUB (642 Rumunsko); EB MEIER (756 Švýcarsko); E. MULLER (756 Švýcarsko); L. MIGLIO (380 Itálie); G. ISELLA (380 Itálie) a Hans VON KAENEL (756 Švýcarsko)
Vydání
Journal of Applied Physics, Melville, AMER INST PHYSICS, 2016, 0021-8979
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 2.068
Kód RIV
RIV/00216224:14740/16:00089507
Organizační jednotka
Středoevropský technologický institut
UT WoS
000369900600024
EID Scopus
2-s2.0-84957998630
Klíčová slova česky
molekulová-svazková epitaxe; rtg-diffrakce; epitaxe zvýšené migrace; krátkoperiodická supermřížka; gradované vrstvy; nízká teplota; tvorba dslokací; heteroepitaxní vrstvy; teplotní expanze; si
Klíčová slova anglicky
molecular-beam epitaxy; x-ray-diffraction; migration-enhanced epitaxy; short-period superlattices; graded buffer layers; low-temperature; dislocation generation; heteroepitaxial films; thermal-expansion; on-si
Štítky
Změněno: 13. 3. 2018 10:01, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.
Anotace
V originále
Monolithic integration of III-V compounds into high density Si integrated circuits is a key technological challenge for the next generation of optoelectronic devices. In this work, we report on the metal organic vapor phase epitaxy growth of strain-free GaAs crystals on Si substrates patterned down to the micron scale. The differences in thermal expansion coefficient and lattice parameter are adapted by a 2-mu m-thick intermediate Ge layer grown by low-energy plasma enhanced chemical vapor deposition. The GaAs crystals evolve during growth towards a pyramidal shape, with lateral facets composed of {111} planes and an apex formed by {137} and (001) surfaces. The influence of the anisotropic GaAs growth kinetics on the final morphology is highlighted by means of scanning and transmission electron microscopy measurements. The effect of the Si pattern geometry, substrate orientation, and crystal aspect ratio on the GaAs structural properties was investigated by means of high resolution X-ray diffraction. The thermal strain relaxation process of GaAs crystals with different aspect ratio is discussed within the framework of linear elasticity theory by Finite Element Method simulations based on realistic geometries extracted from cross-sectional scanning electron microscopy images. (C) 2016 AIP Publishing LLC.
Návaznosti
CZ.1.07/2.4.00/17.0006, interní kód MU |
| ||
ED1.1.00/02.0068, projekt VaV |
| ||
EE2.3.20.0027, projekt VaV |
| ||
LM2011020, projekt VaV |
|