Strain relaxation in Ge microcrystals studied by
high-resolution X-ray diffraction

J 2016

Strain relaxation in Ge microcrystals studied by high-resolution X-ray diffraction

ROZBOŘIL, Jakub; Mojmír MEDUŇA; Claudiu Valentin FALUB; Fabio ISA; Hans VON KÄNEL et al.

Základní údaje

Originální název

Strain relaxation in Ge microcrystals studied by high-resolution X-ray diffraction

Název česky

Relaxace pnutí v Ge mikrokrystalech studovaných pomocí rtg difrakce s vysokým rozlišením

Autoři

ROZBOŘIL, Jakub; Mojmír MEDUŇA; Claudiu Valentin FALUB; Fabio ISA a Hans VON KÄNEL

Vydání

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, WEINHEIM, Wiley, 2016, 1862-6300

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Německo

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 1.775

Označené pro přenos do RIV

Ano

Kód RIV

RIV/00216224:14740/16:00089508

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

Klíčová slova česky

defekty krystalů; Ge mikrokrystaly; vzorkovaný Si substrátů rtg difrakce

Klíčová slova anglicky

crystal defects; Ge microcrystals; patterned Si substrate; X-ray diffraction

Štítky

rivok

Změněno: 13. 3. 2018 10:38, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.

Anotace

V originále

Deposition on patterned substrates is a promising method for obtaining high quality, strain and defect free heteroepitaxial layers. In this paper we investigate the crystalline structure of quasi-continuous Ge layers consisting of closely spaced microcrystals on a Si substrate patterned in the form of a regular net of lithographically defined squared based pillars. Lattice parameters, strain and degree of relaxation of the Ge microcrystals are measured by standard high-resolution X-ray diffraction using reciprocal space mapping. In particular, we focus on the impact of Si pillar size and spacing on the Ge crystal quality by analyzing how the bending of crystal lattice planes caused by thermal stress relaxation and random crystal tilts affect the width of the diffraction peaks.

Návaznosti

CZ.1.07/2.4.00/17.0006, interní kód MU

Název: Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery, 2.4 Partnerství a sítě

ED1.1.00/02.0068, projekt VaV

Název: CEITEC - central european institute of technology

EE2.3.20.0027, projekt VaV

Název: Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano a mikrotechnologií

LM2011020, projekt VaV

Název: CEITEC ? open access

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, CEITEC - open access

Citovat

ROZBOŘIL, Jakub; Mojmír MEDUŇA; Claudiu Valentin FALUB; Fabio ISA a Hans VON KÄNEL. Strain relaxation in Ge microcrystals studied by high-resolution X-ray diffraction. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. WEINHEIM: Wiley, 2016, roč. 213, č. 2, s. 463-469. ISSN 1862-6300. Dostupné z: https://doi.org/10.1002/pssa.201532643.

@article{1338601,
   author = {Rozbořil, Jakub and Meduňa, Mojmír and Falub, Claudiu Valentin and Isa, Fabio and von Känel, Hans},
   article_location = {WEINHEIM},
   article_number = {2},
   doi = {https://doi.org/10.1002/pssa.201532643},
   keywords = {crystal defects; Ge microcrystals; patterned Si substrate; X-ray diffraction},
   language = {eng},
   issn = {1862-6300},
   journal = {PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE},
   title = {Strain relaxation in Ge microcrystals studied by high-resolution X-ray diffraction},
   url = {http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.201532643/abstract},
   volume = {213},
   year = {2016}
}

TY  - JOUR
ID  - 1338601
AU  - Rozbořil, Jakub - Meduňa, Mojmír - Falub, Claudiu Valentin - Isa, Fabio - von Känel, Hans
PY  - 2016
TI  - Strain relaxation in Ge microcrystals studied by high-resolution X-ray diffraction
JF  - PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
VL  - 213
IS  - 2
SP  - 463-469
EP  - 463-469
PB  - Wiley
SN  - 18626300
KW  - crystal defects
KW  - Ge microcrystals
KW  - patterned Si substrate
KW  - X-ray diffraction
UR  - http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.201532643/abstract
L2  - http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.201532643/abstract
N2  - Deposition on patterned substrates is a promising method for obtaining high quality, strain and defect free heteroepitaxial layers. In this paper we investigate the crystalline structure of quasi-continuous Ge layers consisting of closely spaced microcrystals on a Si substrate patterned in the form of a regular net of lithographically defined squared based pillars. Lattice parameters, strain and degree of relaxation of the Ge microcrystals are measured by standard high-resolution X-ray diffraction using reciprocal space mapping. In particular, we focus on the impact of Si pillar size and spacing on the Ge crystal quality by analyzing how the bending of crystal lattice planes caused by thermal stress relaxation and random crystal tilts affect the width of the diffraction peaks.
ER  -

ROZBOŘIL, Jakub; Mojmír MEDUŇA; Claudiu Valentin FALUB; Fabio ISA a Hans VON KÄNEL. Strain relaxation in Ge microcrystals studied by high-resolution X-ray diffraction. \textit{PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE}. WEINHEIM: Wiley, 2016, roč.~213, č.~2, s.~463-469. ISSN~1862-6300. Dostupné z: https://doi.org/10.1002/pssa.201532643.

Přehled o publikaci