KLENOVSKÝ, Petr, Vlastimil KŘÁPEK a Josef HUMLÍČEK. Type-II InAs/GaAsSb/GaAs Quantum Dots as Artificial Quantum Dot Molecules. ACTA PHYSICA POLONICA A. Warsaw: POLISH ACAD SCIENCES INST PHYSICS, 2016, roč. 129, 1A, s. "A62"-"A65", 4 s. ISSN 0587-4246. doi:10.12693/APhysPolA.129.A-62.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Type-II InAs/GaAsSb/GaAs Quantum Dots as Artificial Quantum Dot Molecules
Autoři KLENOVSKÝ, Petr (203 Česká republika, garant, domácí), Vlastimil KŘÁPEK (203 Česká republika) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, domácí).
Vydání ACTA PHYSICA POLONICA A, Warsaw, POLISH ACAD SCIENCES INST PHYSICS, 2016, 0587-4246.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Polsko
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 0.469
Kód RIV RIV/00216224:14740/16:00087604
Organizační jednotka Středoevropský technologický institut
Doi http://dx.doi.org/10.12693/APhysPolA.129.A-62
UT WoS 000371623600013
Klíčová slova anglicky quantum dots; type-II bandalignment; quantum computing; theory
Štítky rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnil: Mgr. Petr Klenovský, Ph.D., učo 105957. Změněno: 18. 3. 2018 10:27.
Anotace
We have studied theoretically the type-II GaAsSb capped InAs quantum dots for two structures differing in the composition of the capping layer, being either (i) constant or (ii) with Sb accumulation above the apex of the dot. We have found that the hole states are segmented and resemble the states in the quantum dot molecules. The two-hole states form singlet and triplet with the splitting energy of 4 ueV/325 ueV for the case (i)/(ii). We have also tested the possibility to tune the splitting by vertically applied magnetic field. Because the predicted tunability range was limited, we propose an approach for its enhancement.
Návaznosti
ED1.1.00/02.0068, projekt VaVNázev: CEITEC - central european institute of technology
EE2.3.20.0027, projekt VaVNázev: Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano a mikrotechnologií
MUNI/A/1496/2014, interní kód MUNázev: Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů IV
Investor: Masarykova univerzita, Grantová agentura MU, DO R. 2020_Kategorie A - Specifický výzkum - Studentské výzkumné projekty
TH01010419, projekt VaVNázev: Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)
Investor: Technologická agentura ČR, EPSILON
VytisknoutZobrazeno: 27. 7. 2021 21:54