Type-II InAs/GaAsSb/GaAs Quantum Dots as Artificial Quantum Dot
Molecules

J 2016

Type-II InAs/GaAsSb/GaAs Quantum Dots as Artificial Quantum Dot Molecules

KLENOVSKÝ, Petr; Vlastimil KŘÁPEK a Josef HUMLÍČEK

Základní údaje

Originální název

Type-II InAs/GaAsSb/GaAs Quantum Dots as Artificial Quantum Dot Molecules

Autoři

KLENOVSKÝ, Petr; Vlastimil KŘÁPEK a Josef HUMLÍČEK

Vydání

ACTA PHYSICA POLONICA A, Warsaw, POLISH ACAD SCIENCES INST PHYSICS, 2016, 0587-4246

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Polsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 0.469

Označené pro přenos do RIV

Ano

Kód RIV

RIV/00216224:14740/16:00087604

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

Klíčová slova anglicky

quantum dots; type-II bandalignment; quantum computing; theory

Štítky

rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

Změněno: 18. 3. 2018 10:27, Mgr. Petr Klenovský, Ph.D.

Anotace

V originále

We have studied theoretically the type-II GaAsSb capped InAs quantum dots for two structures differing in the composition of the capping layer, being either (i) constant or (ii) with Sb accumulation above the apex of the dot. We have found that the hole states are segmented and resemble the states in the quantum dot molecules. The two-hole states form singlet and triplet with the splitting energy of 4 ueV/325 ueV for the case (i)/(ii). We have also tested the possibility to tune the splitting by vertically applied magnetic field. Because the predicted tunability range was limited, we propose an approach for its enhancement.

Návaznosti

ED1.1.00/02.0068, projekt VaV

Název: CEITEC - central european institute of technology

EE2.3.20.0027, projekt VaV

Název: Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano a mikrotechnologií

MUNI/A/1496/2014, interní kód MU

Název: Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů IV

Investor: Masarykova univerzita, Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů IV, DO R. 2020_Kategorie A - Specifický výzkum - Studentské výzkumné projekty

TH01010419, projekt VaV

Název: Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)

Investor: Technologická agentura ČR, Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)

Citovat

KLENOVSKÝ, Petr; Vlastimil KŘÁPEK a Josef HUMLÍČEK. Type-II InAs/GaAsSb/GaAs Quantum Dots as Artificial Quantum Dot Molecules. ACTA PHYSICA POLONICA A. Warsaw: POLISH ACAD SCIENCES INST PHYSICS, 2016, roč. 129, 1A, s. "A62"-"A65", 4 s. ISSN 0587-4246. Dostupné z: https://doi.org/10.12693/APhysPolA.129.A-62.

@article{1339606,
   author = {Klenovský, Petr and Křápek, Vlastimil and Humlíček, Josef},
   article_location = {Warsaw},
   article_number = {1A},
   doi = {https://doi.org/10.12693/APhysPolA.129.A-62},
   keywords = {quantum dots; type-II bandalignment; quantum computing; theory},
   language = {eng},
   issn = {0587-4246},
   journal = {ACTA PHYSICA POLONICA A},
   title = {Type-II InAs/GaAsSb/GaAs Quantum Dots as Artificial Quantum Dot Molecules},
   url = {http://przyrbwn.icm.edu.pl/APP/PDF/129/a129z1ap12.pdf},
   volume = {129},
   year = {2016}
}

TY  - JOUR
ID  - 1339606
AU  - Klenovský, Petr - Křápek, Vlastimil - Humlíček, Josef
PY  - 2016
TI  - Type-II InAs/GaAsSb/GaAs Quantum Dots as Artificial Quantum Dot Molecules
JF  - ACTA PHYSICA POLONICA A
VL  - 129
IS  - 1A
SP  - "A62"-"A65"
EP  - "A62"-"A65"
PB  - POLISH ACAD SCIENCES INST PHYSICS
SN  - 05874246
KW  - quantum dots
KW  - type-II bandalignment
KW  - quantum computing
KW  - theory
UR  - http://przyrbwn.icm.edu.pl/APP/PDF/129/a129z1ap12.pdf
L2  - http://przyrbwn.icm.edu.pl/APP/PDF/129/a129z1ap12.pdf
N2  - We have studied theoretically the type-II GaAsSb capped InAs quantum dots for two structures differing in the composition of the capping layer, being either (i) constant or (ii) with Sb accumulation above the apex of the dot. We have found that the hole states are segmented and resemble the states in the quantum dot molecules. The two-hole states form singlet and triplet with the splitting energy of 4 ueV/325 ueV for the case (i)/(ii). We have also tested the possibility to tune the splitting by vertically applied magnetic field. Because the predicted tunability range was limited, we propose an approach for its enhancement.
ER  -

KLENOVSKÝ, Petr; Vlastimil KŘÁPEK a Josef HUMLÍČEK. Type-II InAs/GaAsSb/GaAs Quantum Dots as Artificial Quantum Dot Molecules. \textit{ACTA PHYSICA POLONICA A}. Warsaw: POLISH ACAD SCIENCES INST PHYSICS, 2016, roč.~129, 1A, s.~''A62''-''A65'', 4 s. ISSN~0587-4246. Dostupné z: https://doi.org/10.12693/APhysPolA.129.A-62.

Přehled o publikaci