KRUMPOLEC, Richard, Jan ČECH a Mirko ČERNÁK. SiO2/Si etching in atmospheric pressure hydrogen DBD plasma. In 6th Central European Symposium on Plasma Chemistry. 2015. ISBN 978-88-6938-045-7.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název SiO2/Si etching in atmospheric pressure hydrogen DBD plasma
Autoři KRUMPOLEC, Richard, Jan ČECH a Mirko ČERNÁK.
Vydání 6th Central European Symposium on Plasma Chemistry, 2015.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Konferenční abstrakt
Obor 10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele Itálie
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
ISBN 978-88-6938-045-7
Klíčová slova anglicky DCSBD; atmospheric pressure; silicone oxide; hydrogen; etching
Příznaky Mezinárodní význam
Změnil Změnil: Mgr. Jan Čech, Ph.D., učo 63843. Změněno: 30. 3. 2016 10:54.
Anotace
The SiO2/Si etching was studied in DCSBD discharge generated in pure hydrogen at atmospheric pressure and room temeperature conditions. The estimated etching rate of SiO2 was approx. 1 nm/min.
Návaznosti
ED2.1.00/03.0086, projekt VaVNázev: Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
LO1411, projekt VaVNázev: Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy (Akronym: CEPLANT plus)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
VytisknoutZobrazeno: 27. 7. 2024 14:28