J 2017

Surface chemistry and initial growth of Al2O3 on plasma modified PTFE studied by ALD

KRUMPOLEC, Richard, David Campbell CAMERON, Tomáš HOMOLA a Mirko ČERNÁK

Základní údaje

Originální název

Surface chemistry and initial growth of Al2O3 on plasma modified PTFE studied by ALD

Autoři

KRUMPOLEC, Richard (703 Slovensko, garant, domácí), David Campbell CAMERON (826 Velká Británie a Severní Irsko, domácí), Tomáš HOMOLA (703 Slovensko, domácí) a Mirko ČERNÁK (703 Slovensko, domácí)

Vydání

Surfaces and Interfaces, Amsterdam, Elsevier Science, 2017, 2468-0230

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10305 Fluids and plasma physics

Stát vydavatele

Nizozemské království

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

Kód RIV

RIV/00216224:14310/17:00095963

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000408907800031

Klíčová slova anglicky

Atomic layer deposition; Nucleation; Plasma pre-treatment; Diffuse coplanar surface barrier discharge; PTFE

Štítky

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 12. 4. 2018 10:14, Ing. Nicole Zrilić

Anotace

V originále

An atmospheric-pressure DCSBD plasma in ambient air was used to clean and activate PTFE surfaces before low-temperature atomic layer deposition of Al2O3. It emerged that the fastest nucleation, leading to complete Al2O3 films, took place on PTFE samples that had been treated by plasma that led to the highest concentration of oxygen-containing functional groups. This condition required that some carbon contamination remained on the surface. Complete removal of surface carbon contamination to leave a surface close to stoichiometric PTFE was not beneficial from a film nucleation point of view, due to its lack of active nucleation sites. The results show that DCSBD treatment of PTFE in ambient air is an effective method of controlling and enhancing the nucleation process of thin films deposited by ALD on this substrate material.

Návaznosti

LO1411, projekt VaV
Název: Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy (Akronym: CEPLANT plus)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy