2017
Inversion of the exciton built-in dipole moment in In(Ga)As quantum dots via nonlinear piezoelectric effect
ABERL, Johannes; Petr KLENOVSKÝ; Johannes S. WILDMANN; Javier MARTÍN-SÁNCHEZ; Thomas FROMHERZ et al.Základní údaje
Originální název
Inversion of the exciton built-in dipole moment in In(Ga)As quantum dots via nonlinear piezoelectric effect
Autoři
ABERL, Johannes; Petr KLENOVSKÝ; Johannes S. WILDMANN; Javier MARTÍN-SÁNCHEZ; Thomas FROMHERZ; Eugenio ZALLO; Josef HUMLÍČEK; Armando RASTELLI a Rinaldo TROTTA
Vydání
Physical Review B, COLLEGE PK, MD USA, AMER PHYSICAL SOC, 2017, 2469-9950
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 3.813
Označené pro přenos do RIV
Ano
Kód RIV
RIV/00216224:14310/17:00097198
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
EID Scopus
Klíčová slova anglicky
piezoelectricity; quantum dot; strain tuning; NIP diode; electric dipole
Změněno: 5. 4. 2018 15:28, Ing. Nicole Zrilić
Anotace
V originále
We show that anisotropic biaxial stress can be used to tune the built-in dipole moment of excitons confined in In(Ga)As quantum dots up to complete erasure of its magnitude and inversion of its sign. We demonstrate that this phenomenon is due to piezoelectricity. We present a model to calculate the applied stress, taking advantage of the so-called piezotronic effect, which produces significant changes in the current-voltage characteristics of the strained diode-membranes containing the quantum dots. Finally, self-consistent k.p calculations reveal that the experimental findings can be only accounted for by the nonlinear piezoelectric effect, whose importance in quantum dot physics has been theoretically recognized although it has proven difficult to single out experimentally.
Návaznosti
| LQ1601, projekt VaV |
|