Strain Engineering in Highly Mismatched SiGe/Si
Heterostructures

J 2017

Strain Engineering in Highly Mismatched SiGe/Si Heterostructures

ISA, Fabio, Arik JUNG, Marco SALVALAGLIO, Yadira Arroyo Rojas DASILVA, Ivan MAROZAU et. al.

Základní údaje

Originální název

Strain Engineering in Highly Mismatched SiGe/Si Heterostructures

Název česky

Deformační inženýrství ve velmi nepřizpůsobených SiGe/Si Heterostrukturách

Autoři

ISA, Fabio (756 Švýcarsko), Arik JUNG (756 Švýcarsko), Marco SALVALAGLIO (276 Německo), Yadira Arroyo Rojas DASILVA (756 Švýcarsko), Ivan MAROZAU (756 Švýcarsko), Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika, garant, domácí), Michael BARGET (380 Itálie), Anna MARZEGALLI (380 Itálie), Giovanni ISELLA (380 Itálie), Rolf ERNI (756 Švýcarsko), Fabio PEZZOLI (380 Itálie), Emiliano BONERA (380 Itálie), Philippe NIEDERMANN (756 Švýcarsko), Olha SEREDA (756 Švýcarsko), Pierangelo GRONING (756 Švýcarsko), Francesco MONTALENTI (380 Itálie) a Hans VON KAENEL (756 Švýcarsko)

Vydání

Materials Science in Semiconductor Processing, Oxford, Elsevier Science, 2017, 1369-8001

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Velká Británie a Severní Irsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 2.593

Kód RIV

RIV/00216224:14310/17:00097339

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

DOI

http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2016.08.019

UT WoS

000410870900022

Klíčová slova česky

Deformační inženýrství; Dislokace; Elastická relaxace; Vzorkované substráty; SiGe

Klíčová slova anglicky

Strain engineering; Dislocations; Elastic relaxation; Patterned substrates; SiGe

Štítky

NZ, rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

Změněno: 11. 4. 2018 23:45, Ing. Nicole Zrilić

Anotace

ORIG CZ

V originále

In this work we present an innovative approach to realise coherent, highly-mismatched 3-dimensional heterostructures on substrates patterned at the micrometre-scale.

Česky

V této práci předkládáme inovativní přístup k realizaci koherentních, vysoce nepřizpůsobených 3-rozměrných heterostruktur na substrátech vzorkovaných v měřítku mikrometru.

Citovat

ISA, Fabio, Arik JUNG, Marco SALVALAGLIO, Yadira Arroyo Rojas DASILVA, Ivan MAROZAU, Mojmír MEDUŇA, Michael BARGET, Anna MARZEGALLI, Giovanni ISELLA, Rolf ERNI, Fabio PEZZOLI, Emiliano BONERA, Philippe NIEDERMANN, Olha SEREDA, Pierangelo GRONING, Francesco MONTALENTI a Hans VON KAENEL. Strain Engineering in Highly Mismatched SiGe/Si Heterostructures. Materials Science in Semiconductor Processing. Oxford: Elsevier Science, 2017, roč. 70, November, s. 117-122. ISSN 1369-8001. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2016.08.019.

@article{1387401,
   author = {Isa, Fabio and Jung, Arik and Salvalaglio, Marco and Dasilva, Yadira Arroyo Rojas and Marozau, Ivan and Meduňa, Mojmír and Barget, Michael and Marzegalli, Anna and Isella, Giovanni and Erni, Rolf and Pezzoli, Fabio and Bonera, Emiliano and Niedermann, Philippe and Sereda, Olha and Groning, Pierangelo and Montalenti, Francesco and von Kaenel, Hans},
   article_location = {Oxford},
   article_number = {November},
   doi = {http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2016.08.019},
   keywords = {Strain engineering; Dislocations; Elastic relaxation; Patterned substrates; SiGe},
   language = {eng},
   issn = {1369-8001},
   journal = {Materials Science in Semiconductor Processing},
   title = {Strain Engineering in Highly Mismatched SiGe/Si Heterostructures},
   url = {http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800116303201?via%3Dihub},
   volume = {70},
   year = {2017}
}

TY  - JOUR
ID  - 1387401
AU  - Isa, Fabio - Jung, Arik - Salvalaglio, Marco - Dasilva, Yadira Arroyo Rojas - Marozau, Ivan - Meduňa, Mojmír - Barget, Michael - Marzegalli, Anna - Isella, Giovanni - Erni, Rolf - Pezzoli, Fabio - Bonera, Emiliano - Niedermann, Philippe - Sereda, Olha - Groning, Pierangelo - Montalenti, Francesco - von Kaenel, Hans
PY  - 2017
TI  - Strain Engineering in Highly Mismatched SiGe/Si Heterostructures
JF  - Materials Science in Semiconductor Processing
VL  - 70
IS  - November
SP  - 117-122
EP  - 117-122
PB  - Elsevier Science
SN  - 13698001
KW  - Strain engineering
KW  - Dislocations
KW  - Elastic relaxation
KW  - Patterned substrates
KW  - SiGe
UR  - http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800116303201?via%3Dihub
L2  - http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800116303201?via%3Dihub
N2  - In this work we present an innovative approach to realise coherent, highly-mismatched 3-dimensional heterostructures on substrates patterned at the micrometre-scale.
ER  -

ISA, Fabio, Arik JUNG, Marco SALVALAGLIO, Yadira Arroyo Rojas DASILVA, Ivan MAROZAU, Mojmír MEDUŇA, Michael BARGET, Anna MARZEGALLI, Giovanni ISELLA, Rolf ERNI, Fabio PEZZOLI, Emiliano BONERA, Philippe NIEDERMANN, Olha SEREDA, Pierangelo GRONING, Francesco MONTALENTI a Hans VON KAENEL. Strain Engineering in Highly Mismatched SiGe/Si Heterostructures. \textit{Materials Science in Semiconductor Processing}. Oxford: Elsevier Science, 2017, roč.~70, November, s.~117-122. ISSN~1369-8001. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2016.08.019.

Podrobný výpis o publikaci