2018
Technologie pro depozici materiálu magnetronovým naprašováním
HNILICA, Jaroslav; Peter KLEIN; Katarína BERNÁTOVÁ; Petr VAŠINA; Marta ŠLAPANSKÁ et al.Základní údaje
Originální název
Technologie pro depozici materiálu magnetronovým naprašováním
Název česky
Technologie pro depozici materiálu magnetronovým naprašováním
Název anglicky
Technology for thin film deposition by magnetron sputtering
Autoři
Vydání
2018
Další údaje
Jazyk
čeština
Typ výsledku
Poloprovoz, ověřená technologie, odrůda, plemeno
Obor
20506 Coating and films
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Označené pro přenos do RIV
Ano
Kód RIV
RIV/00216224:14310/18:00101864
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova česky
magnetronové naprašování; depoziční proces
Klíčová slova anglicky
magnetron sputtering; deposition process
Technické parametry
V rámci optimalizace technologického postupu byl studován vliv střídy, tlaku i vzdálenosti na depoziční rychlost, tok energie a ionizační stupeň.
Magnetron byl buzen stejnosměrně (DC) i pulzy vysokého výkonu (HiPIMS). Navržená technologie je charakterizována těmito depozičními podmínkami: DC buzení za 1 Pa, výkonu 1 kW a střídou 100% a buzení pomocí HiPIMS za 1 Pa, výkonu 1 kW, délce pulzu 200us, frekvenci 60 Hza střídě 1,2 %.
Očekává se sepsání smlouvy o využití výsledků s firmou SHM, s.r.o., která již o výsledky projevila zájem.
Příznaky
Mezinárodní význam
Změněno: 7. 12. 2018 08:42, doc. Mgr. Jaroslav Hnilica, Ph.D.
V originále
Navržená technologie ukazuje, že použití stejnosměrného magnetronového naprašování vede ke čtyřnásobně rychlejší depozici vrstvy v porovnání s magnetronovým naprašováním buzeným pulzy vysokého výkonu, a tedy je proces mnohem efektivnější a méně energeticky náročný. Použitím magnetronového naprašování buzeného pulzy vysokého výkonu ovšem povede k deponování vrstvy nejen pomocí atomů, ale i iontů rozprašovaného materiálu, což vyústí k přípravě mnohem kvalitnějších deponovaných vrstev (větší přilnavosti k substrátu, nižší drsnosti či větší hustotě), což vyústí ve větší přidanou hodnotu daných vrstev. V tomto studovaném případě bude v místě, kde se vrstva deponuje na vzorek, až 48 % iontů.
Anglicky
The proposed technology demonstrates that the use of DC magnetron sputtering results in a deposition of a layer four times faster compared to magnetron sputtering excited by high power pulses, and therefore the process is more efficient and less energy consuming. However, using a high power impulse magnetnetron sputtering leads to deposition of a layer not only by the sputterred atoms but also by the ions of the sputtered material, which results in the preparation of improved thin films (e.g. greater adhesion to the substrate, lower roughness or higher density), and thus it leads to depostion of thin films with higher added values. In this case, up to 48% of ions of sputered materials will be deposited at the substrate position.
Návaznosti
| TJ01000157, projekt VaV |
|