HACKL, Florian, Martyna GRYDLIK, Petr KLENOVSKÝ, Friedrich SCHAEFFLER, Thomas FROMHERZ a Moritz BREHM. Assessing Carrier Recombination Processes in Type-II SiGe/Si(001) Quantum Dots. Annalen der Physik (Berlin). 2019, roč. 531, č. 6, s. 1-12. ISSN 0003-3804. doi:10.1002/andp.201800259.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Assessing Carrier Recombination Processes in Type-II SiGe/Si(001) Quantum Dots
Autoři HACKL, Florian (40 Rakousko), Martyna GRYDLIK (616 Polsko), Petr KLENOVSKÝ (203 Česká republika, garant, domácí), Friedrich SCHAEFFLER (40 Rakousko), Thomas FROMHERZ (40 Rakousko) a Moritz BREHM (40 Rakousko).
Vydání Annalen der Physik (Berlin), 2019, 0003-3804.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Německo
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 3.317
Kód RIV RIV/00216224:14310/19:00108336
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1002/andp.201800259
UT WoS 000471714300011
Klíčová slova anglicky SiGe/Si;kvantove tecky;rekombinacni procesy;kp teorie
Štítky rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: Mgr. Marie Šípková, DiS., učo 437722. Změněno: 29. 4. 2020 10:16.
Anotace
In this work, it is shown how different carrier recombination paths significantly broaden the photoluminescence (PL) emission bandwidth observed in type-II self-assembled SiGe/Si(001) quantum dots (QDs). QDs grown by molecular beam epitaxy with very homogeneous size distribution, onion-shaped composition profile, and Si capping layer thicknesses varying from 0 to 1100 nm are utilized to assess the optical carrier-recombination paths. By using high-energy photons for PL excitation, electron-hole pairs can be selectively generated either above or below the QD layer and, thus, clearly access two radiative carrier recombination channels. Fitting the charge carrier capture-, loss- and recombination-dynamics to PL time-decay curves measured for different experimental configurations allows to obtain quantitative information of carrier capture-, excitonic-emission-, and Auger-recombination rates in this type-II nano-system.
Návaznosti
ED1.1.00/02.0068, projekt VaVNázev: CEITEC - central european institute of technology
TH01010419, projekt VaVNázev: Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)
Investor: Technologická agentura ČR, EPSILON
7AMB17AT044, projekt VaVNázev: Studium excitonové struktury kvantových teček typu II pomocí Fourierovské spektroskopie založené na měření jednofotonové korelace
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Aktivita MOBILITY
8C18001, projekt VaVNázev: CMOS Compatible Single Photon Sources based on SiGe Quantum Dots (Akronym: CUSPIDOR)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, ERA-NET, QUANTERA: Kvantové informační a komunikační vědy a technologie
VytisknoutZobrazeno: 4. 8. 2021 15:57