Assessing Carrier Recombination Processes in Type-II SiGe/Si(001) Quantum Dots

HACKL, Florian; Martyna GRYDLIK; Petr KLENOVSKÝ; Friedrich SCHAEFFLER; Thomas FROMHERZ a Moritz BREHM. Assessing Carrier Recombination Processes in Type-II SiGe/Si(001) Quantum Dots. Annalen der Physik (Berlin). 2019, roč. 531, č. 6, s. 1-12. ISSN 0003-3804. Dostupné z: https://doi.org/10.1002/andp.201800259.

Základní údaje

Originální název

Assessing Carrier Recombination Processes in Type-II SiGe/Si(001) Quantum Dots

Autoři

HACKL, Florian; Martyna GRYDLIK; Petr KLENOVSKÝ; Friedrich SCHAEFFLER; Thomas FROMHERZ a Moritz BREHM

Vydání

Annalen der Physik (Berlin), 2019, 0003-3804

---

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Německo

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 3.317

Označené pro přenos do RIV

Ano

Kód RIV

RIV/00216224:14310/19:00108336

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

DOI

https://doi.org/10.1002/andp.201800259

UT WoS

000471714300011

EID Scopus

2-s2.0-85059865984

Klíčová slova anglicky

SiGe/Si;kvantove tecky;rekombinacni procesy;kp teorie

Štítky

rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

---

Anotace

V originále

In this work, it is shown how different carrier recombination paths significantly broaden the photoluminescence (PL) emission bandwidth observed in type-II self-assembled SiGe/Si(001) quantum dots (QDs). QDs grown by molecular beam epitaxy with very homogeneous size distribution, onion-shaped composition profile, and Si capping layer thicknesses varying from 0 to 1100 nm are utilized to assess the optical carrier-recombination paths. By using high-energy photons for PL excitation, electron-hole pairs can be selectively generated either above or below the QD layer and, thus, clearly access two radiative carrier recombination channels. Fitting the charge carrier capture-, loss- and recombination-dynamics to PL time-decay curves measured for different experimental configurations allows to obtain quantitative information of carrier capture-, excitonic-emission-, and Auger-recombination rates in this type-II nano-system.

---

Návaznosti

ED1.1.00/02.0068, projekt VaV	Název: CEITEC - central european institute of technology
TH01010419, projekt VaV	Název: Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT) Investor: Technologická agentura ČR, Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)
7AMB17AT044, projekt VaV	Název: Studium excitonové struktury kvantových teček typu II pomocí Fourierovské spektroskopie založené na měření jednofotonové korelace Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium excitonové struktury kvantových teček typu II pomocí Fourierovské spektroskopie založené na měření jednofotonové korelace
8C18001, projekt VaV	Název: CMOS Compatible Single Photon Sources based on SiGe Quantum Dots (Akronym: CUSPIDOR) Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, CMOS Compatible Single Photon Sources based on SiGe Quantum Dots, QUANTERA: Kvantové informační a komunikační vědy a technologie