FRANTA, Daniel, Pavel FRANTA, Jiří VOHÁNKA, Martin ČERMÁK a Ivan OHLÍDAL. Determination of thicknesses and temperatures of crystalline silicon wafers from optical measurements in the far infrared region. Journal of Applied Physics. 2018, roč. 123, č. 18, s. 185707-185717. ISSN 0021-8979. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1063/1.5026195.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Determination of thicknesses and temperatures of crystalline silicon wafers from optical measurements in the far infrared region
Autoři FRANTA, Daniel (203 Česká republika, garant, domácí), Pavel FRANTA (203 Česká republika, domácí), Jiří VOHÁNKA (203 Česká republika, domácí), Martin ČERMÁK (203 Česká republika, domácí) a Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika, domácí).
Vydání Journal of Applied Physics, 2018, 0021-8979.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Spojené státy
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 2.328
Kód RIV RIV/00216224:14310/18:00106358
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1063/1.5026195
UT WoS 000432331100037
Klíčová slova anglicky optical constants; temperature dependence
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnil: Mgr. Michal Petr, učo 65024. Změněno: 23. 4. 2024 14:14.
Anotace
Optical measurements of transmittance in the far infrared region performed on crystalline silicon wafers exhibit partially coherent interference effects appropriate for the determination of thicknesses of the wafers. The knowledge of accurate spectral and temperature dependencies of the optical constants of crystalline silicon in this spectral region is crucial for determination of their thickness and vice versa. The recently published temperature dependent dispersion model of crystalline silicon is suitable for this purpose. Because the linear thermal expansion of crystalline silicon is known, the temperatures of the wafers can be determined with high precision from the evolution of the interference patterns at elevated temperatures.
Návaznosti
LO1411, projekt VaVNázev: Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy (Akronym: CEPLANT plus)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
VytisknoutZobrazeno: 25. 4. 2024 17:16