Diffuse X-ray scattering from local chemical inhomogeneities in InGaN layers

HOLÝ, Václav; M. KRYSKO a M. LESZCZYNSKI. Diffuse X-ray scattering from local chemical inhomogeneities in InGaN layers. Journal of Applied Crystallography. Chester: INT UNION CRYSTALLOGRAPHY, 2018, roč. 51, č. 4, s. 969-981. ISSN 1600-5767. Dostupné z: https://doi.org/10.1107/S1600576718007173.

Základní údaje

Originální název

Diffuse X-ray scattering from local chemical inhomogeneities in InGaN layers

Autoři

HOLÝ, Václav; M. KRYSKO a M. LESZCZYNSKI

Vydání

Journal of Applied Crystallography, Chester, INT UNION CRYSTALLOGRAPHY, 2018, 1600-5767

---

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Velká Británie a Severní Irsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 2.867

Označené pro přenos do RIV

Ano

Kód RIV

RIV/00216224:14310/18:00106421

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

DOI

https://doi.org/10.1107/S1600576718007173

UT WoS

000440411700001

EID Scopus

2-s2.0-85051067191

Klíčová slova anglicky

X-ray diffraction; diffuse scattering; chemical fluctuations; elasticity; InGaN

Štítky

rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

---

Anotace

V originále

Diffuse X-ray scattering from random chemical inhomogeneities in epitaxial layers of InGaN/GaN was simulated using linear elasticity theory and kinematical X-ray diffraction. The simulation results show the possibility of determining the r.m.s. deviations of the local In content and its lateral correlation length from reciprocal-space maps of the scattered intensity. The reciprocal-space distribution of the intensity scattered from inhomogeneities is typical and it can be distinguished from other sources of diffuse scattering such as threading or misfit dislocations.