Diffuse X-ray scattering from local chemical inhomogeneities in InGaN layers

HOLÝ, Václav, M. KRYSKO a M. LESZCZYNSKI. Diffuse X-ray scattering from local chemical inhomogeneities in InGaN layers. Journal of Applied Crystallography. Chester: INT UNION CRYSTALLOGRAPHY, 2018, roč. 51, č. 4, s. 969-981. ISSN 1600-5767. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1107/S1600576718007173.

Základní údaje

• Originální název: Diffuse X-ray scattering from local chemical inhomogeneities in InGaN layers
• Autoři: HOLÝ, Václav (203 Česká republika, garant, domácí), M. KRYSKO (616 Polsko) a M. LESZCZYNSKI (616 Polsko).
• Vydání: Journal of Applied Crystallography, Chester, INT UNION CRYSTALLOGRAPHY, 2018, 1600-5767.

Další údaje

• Originální jazyk: angličtina
• Typ výsledku: Článek v odborném periodiku
• Obor: 10302 Condensed matter physics
• Stát vydavatele: Velká Británie a Severní Irsko
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• WWW: URL
• Impakt faktor: Impact factor: 2.867
• Kód RIV: RIV/00216224:14310/18:00106421
• Organizační jednotka: Přírodovědecká fakulta
• Doi: http://dx.doi.org/10.1107/S1600576718007173
• UT WoS: 000440411700001
• Klíčová slova anglicky: X-ray diffraction; diffuse scattering; chemical fluctuations; elasticity; InGaN
• Štítky: rivok
• Příznaky: Mezinárodní význam, Recenzováno

Anotace

Diffuse X-ray scattering from random chemical inhomogeneities in epitaxial layers of InGaN/GaN was simulated using linear elasticity theory and kinematical X-ray diffraction. The simulation results show the possibility of determining the r.m.s. deviations of the local In content and its lateral correlation length from reciprocal-space maps of the scattered intensity. The reciprocal-space distribution of the intensity scattered from inhomogeneities is typical and it can be distinguished from other sources of diffuse scattering such as threading or misfit dislocations.