VOHÁNKA, Jiří, Ivan OHLÍDAL, Miloslav OHLÍDAL, Štěpán ŠUSTEK, Martin ČERMÁK, Václav ŠULC, Petr VAŠINA, Jaroslav ŽENÍŠEK a Daniel FRANTA. Optical Characterization of Non-Stoichiometric Silicon Nitride Films Exhibiting Combined Defects. Coatings. Basel: MDPI, 2019, roč. 9, č. 7, s. 1-21. ISSN 2079-6412. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.3390/coatings9070416.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Optical Characterization of Non-Stoichiometric Silicon Nitride Films Exhibiting Combined Defects
Autoři VOHÁNKA, Jiří (203 Česká republika, garant, domácí), Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika, domácí), Miloslav OHLÍDAL (203 Česká republika), Štěpán ŠUSTEK (203 Česká republika), Martin ČERMÁK (203 Česká republika, domácí), Václav ŠULC (203 Česká republika), Petr VAŠINA (203 Česká republika, domácí), Jaroslav ŽENÍŠEK (203 Česká republika, domácí) a Daniel FRANTA (203 Česká republika, domácí).
Vydání Coatings, Basel, MDPI, 2019, 2079-6412.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10306 Optics
Stát vydavatele Švýcarsko
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW Full Text
Impakt faktor Impact factor: 2.436
Kód RIV RIV/00216224:14310/19:00110403
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.3390/coatings9070416
UT WoS 000478656200044
Klíčová slova anglicky silicon nitride;optical characterization;ellipsometry;inhomogeneous films;optical anisotropy
Štítky rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: Mgr. Marie Šípková, DiS., učo 437722. Změněno: 24. 3. 2020 10:12.
Anotace
The study was devoted to optical characterization of non-stoichiometric silicon nitride films prepared by reactive magnetron sputtering in argon-nitrogen atmosphere onto cold (unheated) substrates. It was found that these films exhibit the combination of three defects: optical inhomogeneity (refractive index profile across the films), uniaxial anisotropy with the optical axis perpendicular to the boundaries and random roughness of the upper boundaries. The influence of the uniaxial anisotropy was included into the corresponding formulae of the optical quantities using the matrix formalism and the approximation of the inhomogeneous layer by a multilayer system consisting of large number thin homogeneous layers. The random roughness was described using the scalar diffraction theory. The processing of the experimental data was performed using the multi-sample modification of the least-squares method, in which experimental data of several samples differing in thickness were processed simultaneously. The dielectric response of the silicon nitride films was modeled using the modification of the universal dispersion model, which takes into account absorption processes corresponding to valence-to-conduction band electron transitions, excitonic effects and Urbach tail. The spectroscopic reflectometric and ellipsometric measurements were supplemented by measuring the uniformity of the samples using imaging spectroscopic reflectometry.
Návaznosti
LO1411, projekt VaVNázev: Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy (Akronym: CEPLANT plus)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
VytisknoutZobrazeno: 29. 8. 2024 16:09