Electronic states of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots

J 2019

Electronic states of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots

KLENOVSKÝ, Petr, Andrei SCHLIWA a Dieter BIMBERG

Základní údaje

Originální název

Electronic states of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots

Autoři

KLENOVSKÝ, Petr (203 Česká republika, domácí), Andrei SCHLIWA (276 Německo) a Dieter BIMBERG (276 Německo)

Vydání

Physical Review B, American Physical Society, 2019, 2469-9950

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 3.575

Kód RIV

RIV/00216224:14310/19:00110690

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

DOI

http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.100.115424

UT WoS

000485761800006

Klíčová slova anglicky

Quantum Dots;Electronic structure;Multiparticle states

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

Změněno: 26. 2. 2020 16:31, Mgr. Pavla Foltynová, Ph.D.

Anotace

V originále

Detailed theoretical studies of the electronic structure of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots are presented. This system is unique since it exhibits concurrently direct and indirect transitions both in real and momentum space and is attractive for applications in quantum information technology, showing advantages as compared to the widely studied (In,Ga)As/GaAs dots. We proceed from the inspection of the confinement potentials for k!=0 and k=0 conduction and k=0 valence bands, through the formulation of k.p calculations for k-indirect transitions, up to the excitonic structure of Gamma transitions. Throughout this process we compare the results obtained for dots on both GaP and GaAs substrates, enabling us to make a direct comparison to the (In,Ga)As/GaAs quantum dot system. We also discuss the realization of quantum gates.

Návaznosti

LQ1601, projekt VaV

Název: CEITEC 2020 (Akronym: CEITEC2020)

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, CEITEC 2020

7AMB17AT044, projekt VaV

Název: Studium excitonové struktury kvantových teček typu II pomocí Fourierovské spektroskopie založené na měření jednofotonové korelace

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium excitonové struktury kvantových teček typu II pomocí Fourierovské spektroskopie založené na měření jednofotonové korelace

8C18001, projekt VaV

Název: CMOS Compatible Single Photon Sources based on SiGe Quantum Dots (Akronym: CUSPIDOR)

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, CMOS Compatible Single Photon Sources based on SiGe Quantum Dots, QUANTERA: Kvantové informační a komunikační vědy a technologie

Citovat

KLENOVSKÝ, Petr, Andrei SCHLIWA a Dieter BIMBERG. Electronic states of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots. Physical Review B. American Physical Society, 2019, roč. 100, č. 11, s. 115424-115437. ISSN 2469-9950. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.100.115424.

@article{1556922,
   author = {Klenovský, Petr and Schliwa, Andrei and Bimberg, Dieter},
   article_number = {11},
   doi = {http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.100.115424},
   keywords = {Quantum Dots;Electronic structure;Multiparticle states},
   language = {eng},
   issn = {2469-9950},
   journal = {Physical Review B},
   title = {Electronic states of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots},
   url = {https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.100.115424},
   volume = {100},
   year = {2019}
}

TY  - JOUR
ID  - 1556922
AU  - Klenovský, Petr - Schliwa, Andrei - Bimberg, Dieter
PY  - 2019
TI  - Electronic states of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots
JF  - Physical Review B
VL  - 100
IS  - 11
SP  - 115424
EP  - 115424
PB  - American Physical Society
SN  - 24699950
KW  - Quantum Dots;Electronic structure;Multiparticle states
UR  - https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.100.115424
L2  - https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.100.115424
N2  - Detailed theoretical studies of the electronic structure of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots are presented. This system is unique since it exhibits concurrently direct and indirect transitions both in real and momentum space and is attractive for applications in quantum information technology, showing advantages as compared to the widely studied (In,Ga)As/GaAs dots. We proceed from the inspection of the confinement potentials for k!=0 and k=0 conduction and k=0 valence bands, through the formulation of k.p calculations for k-indirect transitions, up to the excitonic structure of Gamma transitions. Throughout this process we compare the results obtained for dots on both GaP and GaAs substrates, enabling us to make a direct comparison to the (In,Ga)As/GaAs quantum dot system. We also discuss the realization of quantum gates.
ER  -

KLENOVSKÝ, Petr, Andrei SCHLIWA a Dieter BIMBERG. Electronic states of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots. \textit{Physical Review B}. American Physical Society, 2019, roč.~100, č.~11, s.~115424-115437. ISSN~2469-9950. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.100.115424.

Podrobný výpis o publikaci