Electronic states of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots

KLENOVSKÝ, Petr, Andrei SCHLIWA a Dieter BIMBERG. Electronic states of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots. Physical Review B. American Physical Society, 2019, roč. 100, č. 11, s. 115424-115437. ISSN 2469-9950. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.100.115424.

Základní údaje

• Originální název: Electronic states of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots
• Autoři: KLENOVSKÝ, Petr (203 Česká republika, domácí), Andrei SCHLIWA (276 Německo) a Dieter BIMBERG (276 Německo).
• Vydání: Physical Review B, American Physical Society, 2019, 2469-9950.

Další údaje

• Originální jazyk: angličtina
• Typ výsledku: Článek v odborném periodiku
• Obor: 10302 Condensed matter physics
• Stát vydavatele: Spojené státy
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• WWW: URL
• Impakt faktor: Impact factor: 3.575
• Kód RIV: RIV/00216224:14310/19:00110690
• Organizační jednotka: Přírodovědecká fakulta
• Doi: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.100.115424
• UT WoS: 000485761800006
• Klíčová slova anglicky: Quantum Dots;Electronic structure;Multiparticle states
• Příznaky: Mezinárodní význam, Recenzováno

Anotace

Detailed theoretical studies of the electronic structure of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots are presented. This system is unique since it exhibits concurrently direct and indirect transitions both in real and momentum space and is attractive for applications in quantum information technology, showing advantages as compared to the widely studied (In,Ga)As/GaAs dots. We proceed from the inspection of the confinement potentials for k!=0 and k=0 conduction and k=0 valence bands, through the formulation of k.p calculations for k-indirect transitions, up to the excitonic structure of Gamma transitions. Throughout this process we compare the results obtained for dots on both GaP and GaAs substrates, enabling us to make a direct comparison to the (In,Ga)As/GaAs quantum dot system. We also discuss the realization of quantum gates.

Návaznosti

• LQ1601, projekt VaV: Název: CEITEC 2020 (Akronym: CEITEC2020)

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, CEITEC 2020

• 7AMB17AT044, projekt VaV: Název: Studium excitonové struktury kvantových teček typu II pomocí Fourierovské spektroskopie založené na měření jednofotonové korelace

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium excitonové struktury kvantových teček typu II pomocí Fourierovské spektroskopie založené na měření jednofotonové korelace

• 8C18001, projekt VaV: Název: CMOS Compatible Single Photon Sources based on SiGe Quantum Dots (Akronym: CUSPIDOR)

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, CMOS Compatible Single Photon Sources based on SiGe Quantum Dots, QUANTERA: Kvantové informační a komunikační vědy a technologie