2020
Laser-induced crystallization of anodic TiO2 nanotube layers
SOPHA, Hanna; Inam MIRZA; Hana TURČIČOVÁ; David PAVLIŇÁK; Jan MICHALIČKA et al.Základní údaje
Originální název
Laser-induced crystallization of anodic TiO2 nanotube layers
Autoři
SOPHA, Hanna; Inam MIRZA; Hana TURČIČOVÁ; David PAVLIŇÁK; Jan MICHALIČKA; Miloš KRBAL; Jhonatan RODRIGUEZ-PEREIRA; Luděk HROMÁDKO; Ondřej NOVÁK; Jiří MUŽÍK; Martin SMRŽ; Eva KOLÍBALOVÁ; Nathan GOODFRIEND; Nadezda M. BULGAKOVA; Tomáš MOCEK a Jan M. MACÁK
Vydání
RSC Advances, The Royal Society of Chemistry, 2020, 2046-2069
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10300 1.3 Physical sciences
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 3.361
Označené pro přenos do RIV
Ano
Kód RIV
RIV/00216224:14310/20:00115758
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
EID Scopus
Klíčová slova anglicky
TiO2 nanotube layers; laser-induced crystalization
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 29. 4. 2021 16:20, Mgr. Marie Novosadová Šípková, DiS.
Anotace
V originále
In this study, crystallization of amorphous TiO(2)nanotube (TNT) layers upon optimized laser annealing is shown. The resulting anatase TNT layers do not show any signs of deformation or melting. The crystallinity of the laser annealed TNT layers was investigated using X-ray diffraction, Raman spectroscopy, and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The study of the (photo-)electrochemical properties showed that the laser annealed TNT layers were more defective than conventional TNT layers annealed in a muffle oven at 400 degrees C, resulting in a higher charge recombination rate and lower photocurrent response. However, a lower overpotential for hydrogen evolution reaction was observed for the laser annealed TNT layer compared to the oven annealed TNT layer.
Návaznosti
| LO1411, projekt VaV |
| ||
| LQ1601, projekt VaV |
| ||
| 90103, velká výzkumná infrastruktura |
| ||
| 90110, velká výzkumná infrastruktura |
|