Landau level spectroscopy of Bi2Te3

J 2020

Landau level spectroscopy of Bi2Te3

MOHELSKÝ, I.; Adam DUBROKA; J. WYZULA; A. SLOBODENIUK; G. MARTINEZ et. al.

Základní údaje

Originální název

Landau level spectroscopy of Bi2Te3

Autoři

MOHELSKÝ, I.; Adam DUBROKA (203 Česká republika, garant, domácí); J. WYZULA; A. SLOBODENIUK; G. MARTINEZ; Y. KRUPKO; B. A. PIOT; Ondřej CAHA (203 Česká republika, domácí); Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, domácí); G. BAUER; G. SPRINGHOLZ a M. ORLITA

Vydání

PHYSICAL REVIEW B, AMER PHYSICAL SOC, 2020, 2469-9950

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 4.036

Kód RIV

RIV/00216224:14310/20:00114274

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

DOI

http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.102.085201

UT WoS

000557296200005

EID Scopus

2-s2.0-85092173350

Klíčová slova anglicky

BISMUTH TELLURIDE; TOPOLOGICAL INSULATORS; THERMOELECTRIC PROPERTIES; CONDUCTION ELECTRONS; OPTICAL-PROPERTIES; VALENCE-BAND; BI2SE3; SB2TE3; ABSORPTION; RESONANCE

Štítky

rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

Změněno: 4. 3. 2021 16:20, Mgr. Pavla Foltynová, Ph.D.

Anotace

V originále

Here we report on Landau level spectroscopy in magnetic fields up to 34 T performed on a thin film of the topological insulator Bi2Te3 epitaxially grown on a BaF2 substrate. The observed response is consistent with the picture of a direct-gap semiconductor in which charge carriers closely resemble massive Dirac particles. The fundamental band gap reaches E-g = (175 +/- 5) meV at low temperatures and it is not located on the trigonal axis, thus displaying either sixfold or twelvefold valley degeneracy. Interestingly, our magneto-optical data do not indicate any band inversion at the direct gap. This suggests that the fundamental band gap is relatively distant from the Gamma point where profound inversion exists and gives rise to the relativisticlike surface states of Bi2Te3.

Návaznosti

GA20-10377S, projekt VaV

Název: Jevy v heterostrukturách oxidů přechodových kovů vyvolané dopováním a rozhraním (Akronym: TMO Heterostructures)

Investor: Grantová agentura ČR, Jevy v heterostrukturách oxidů přechodových kovů vyvolané dopováním a rozhraním

Citovat

MOHELSKÝ, I.; Adam DUBROKA; J. WYZULA; A. SLOBODENIUK; G. MARTINEZ; Y. KRUPKO; B. A. PIOT; Ondřej CAHA; Josef HUMLÍČEK; G. BAUER; G. SPRINGHOLZ a M. ORLITA. Landau level spectroscopy of Bi2Te3. PHYSICAL REVIEW B. AMER PHYSICAL SOC, 2020, roč. 102, č. 8, s. 1-11. ISSN 2469-9950. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.102.085201.

@article{1674758,
   author = {Mohelský, I. and Dubroka, Adam and Wyzula, J. and Slobodeniuk, A. and Martinez, G. and Krupko, Y. and Piot, B. A. and Caha, Ondřej and Humlíček, Josef and Bauer, G. and Springholz, G. and Orlita, M.},
   article_number = {8},
   doi = {http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.102.085201},
   keywords = {BISMUTH TELLURIDE; TOPOLOGICAL INSULATORS; THERMOELECTRIC PROPERTIES; CONDUCTION ELECTRONS; OPTICAL-PROPERTIES; VALENCE-BAND; BI2SE3; SB2TE3; ABSORPTION; RESONANCE},
   language = {eng},
   issn = {2469-9950},
   journal = {PHYSICAL REVIEW B},
   title = {Landau level spectroscopy of Bi2Te3},
   url = {https://doi.org/10.1103/PhysRevB.102.085201},
   volume = {102},
   year = {2020}
}

TY  - JOUR
ID  - 1674758
AU  - Mohelský, I. - Dubroka, Adam - Wyzula, J. - Slobodeniuk, A. - Martinez, G. - Krupko, Y. - Piot, B. A. - Caha, Ondřej - Humlíček, Josef - Bauer, G. - Springholz, G. - Orlita, M.
PY  - 2020
TI  - Landau level spectroscopy of Bi2Te3
JF  - PHYSICAL REVIEW B
VL  - 102
IS  - 8
SP  - 1-11
EP  - 1-11
PB  - AMER PHYSICAL SOC
SN  - 24699950
KW  - BISMUTH TELLURIDE
KW  - TOPOLOGICAL INSULATORS
KW  - THERMOELECTRIC PROPERTIES
KW  - CONDUCTION ELECTRONS
KW  - OPTICAL-PROPERTIES
KW  - VALENCE-BAND
KW  - BI2SE3
KW  - SB2TE3
KW  - ABSORPTION
KW  - RESONANCE
UR  - https://doi.org/10.1103/PhysRevB.102.085201
L2  - https://doi.org/10.1103/PhysRevB.102.085201
N2  - Here we report on Landau level spectroscopy in magnetic fields up to 34 T performed on a thin film of the topological insulator Bi2Te3 epitaxially grown on a BaF2 substrate. The observed response is consistent with the picture of a direct-gap semiconductor in which charge carriers closely resemble massive Dirac particles. The fundamental band gap reaches E-g = (175 +/- 5) meV at low temperatures and it is not located on the trigonal axis, thus displaying either sixfold or twelvefold valley degeneracy. Interestingly, our magneto-optical data do not indicate any band inversion at the direct gap. This suggests that the fundamental band gap is relatively distant from the Gamma point where profound inversion exists and gives rise to the relativisticlike surface states of Bi2Te3.
ER  -

MOHELSKÝ, I.; Adam DUBROKA; J. WYZULA; A. SLOBODENIUK; G. MARTINEZ; Y. KRUPKO; B. A. PIOT; Ondřej CAHA; Josef HUMLÍČEK; G. BAUER; G. SPRINGHOLZ a M. ORLITA. Landau level spectroscopy of Bi2Te3. \textit{PHYSICAL REVIEW B}. AMER PHYSICAL SOC, 2020, roč.~102, č.~8, s.~1-11. ISSN~2469-9950. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.102.085201.

Přehled o publikaci