Ferromagnetism due to oxygen vacancies in low dimensional oxides

NGUYEN, Que Huong a Hoa Hong NGUYEN. Ferromagnetism due to oxygen vacancies in low dimensional oxides. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. Elsevier, 2021, roč. 534, September, s. "167944", 4 s. ISSN 0304-8853. Dostupné z: https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2021.167944.

Základní údaje

Originální název

Ferromagnetism due to oxygen vacancies in low dimensional oxides

Autoři

NGUYEN, Que Huong a Hoa Hong NGUYEN

Vydání

Journal of Magnetism and Magnetic Materials, Elsevier, 2021, 0304-8853

---

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10300 1.3 Physical sciences

Stát vydavatele

Nizozemské království

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 3.097

Označené pro přenos do RIV

Ano

Kód RIV

RIV/00216224:14310/21:00121499

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

DOI

https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2021.167944

UT WoS

000663639500006

EID Scopus

2-s2.0-85105697984

Klíčová slova anglicky

Thin film; Semiconductors; Impurity; Ferromagnetism; Low dimensionality

Štítky

14312020, rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

---

Anotace

V originále

To explain the observed room temperature ferromagnetism found in pristine oxides of TiO2, HfO2 and In2O3 thin films, a model of oxygen vacancy was proposed. An electronic structure calculation had been carried out using the tight binding method in the confinement configuration to show that a vacancy site in these oxides could create spin splitting and high spin state. The exchange interaction between the electrons surrounding the oxygen vacancy with the local field of symmetry could lead to a ferromagnetic ground state of the system.