J 2022

Dimension-Dependent Phenomenological Model of Excitonic Electric Dipole in InGaAs Quantum Dots

STEINDL, Petr a Petr KLENOVSKÝ

Základní údaje

Originální název

Dimension-Dependent Phenomenological Model of Excitonic Electric Dipole in InGaAs Quantum Dots

Vydání

Nanomaterials, MDPI, 2022, 2079-4991

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Švýcarsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

Impakt faktor

Impact factor: 5.300

Označené pro přenos do RIV

Ano

Kód RIV

RIV/00216224:14310/22:00125428

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

EID Scopus

Klíčová slova anglicky

electric dipole; quantum dots; InGaAs; k·p method; electronic structure

Štítky

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 13. 4. 2022 14:14, Mgr. Marie Novosadová Šípková, DiS.

Anotace

V originále

Permanent electric dipole is a key property for effective control of semiconductor quantum-dot-based sources of quantum light. For theoretical prediction of that, complex geometry-dependent quantum simulations are necessary. Here, we use k⋅p simulations of exciton transition in InGaAs quantum dots to derive a simple geometry-dependent analytical model of dipole. Our model, discussed here, enables reasonably good estimation of the electric dipole, caused in quantum dot by the elastic strain, including an externally induced one. Due to its apparent simplicity, not necessitating elaborate and time-consuming simulations, it might after experimental verification serve as a preferred choice for experimentalists enabling them to make quick estimates of built-in and induced electric dipole in quantum dots.

Návaznosti

8C18001, projekt VaV
Název: CMOS Compatible Single Photon Sources based on SiGe Quantum Dots (Akronym: CUSPIDOR)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, CMOS Compatible Single Photon Sources based on SiGe Quantum Dots, QUANTERA: Kvantové informační a komunikační vědy a technologie