J 2022

Excitonic fine structure of epitaxial Cd(Se,Te) on ZnTe type-II quantum dots

KLENOVSKÝ, Petr; Piotr BARANOWSKI a Piotr WOJNAR

Základní údaje

Originální název

Excitonic fine structure of epitaxial Cd(Se,Te) on ZnTe type-II quantum dots

Autoři

KLENOVSKÝ, Petr; Piotr BARANOWSKI a Piotr WOJNAR

Vydání

Physical Review B, American Physical Society, 2022, 2469-9950

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

Impakt faktor

Impact factor: 3.700

Kód RIV

RIV/00216224:14310/22:00125751

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000804726300004

EID Scopus

2-s2.0-85130310466

Klíčová slova anglicky

Quantum dots; Electronic structure; Excitons; Growth; Structural properties; Configuration interaction; Photoluminescence; k dot p method

Štítky

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 22. 6. 2022 09:15, Mgr. Marie Novosadová Šípková, DiS.

Anotace

V originále

The structure of the ground-state exciton of Cd(Se,Te) quantum dots embedded in ZnTe matrix is studied experimentally using photoluminescence spectroscopy and theoretically using k ⋅ p and configuration interaction methods. The experiments reveal a considerable reduction of fine-structure splitting energy of the exciton with an increase of Se content in the dots. That effect is interpreted by theoretical calculations to originate due to the transition from spatially direct (type-I) to indirect (type-II) transition between electrons and holes in the dot induced by an increase of Se. The trends predicted by the theory match those of the experimental results very well. The theory identifies that the main mechanism causing elevated fine-structure energy, in particular in type-I dots, is due to the multipole expansion of the exchange interaction. Moreover, the theory reveals that for Se contents in the dot > 0.3 , there also exists a peculiar type of confinement showing signatures of both type I and type II and which exhibits extraordinary properties, such as an almost purely light hole character of exciton and toroidal shapes of hole states.

Návaznosti

8C18001, projekt VaV
Název: CMOS Compatible Single Photon Sources based on SiGe Quantum Dots (Akronym: CUSPIDOR)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, CMOS Compatible Single Photon Sources based on SiGe Quantum Dots, QUANTERA: Kvantové informační a komunikační vědy a technologie