J 1995

Excition-polariton edge of GaAs: MBE layers between multiple-quantum-well structures

HUMLÍČEK, Josef; Luděk BOČÁNEK; Karel NAVRÁTIL; Petr PÁNEK; Radoslav ŠVEHLA et al.

Základní údaje

Originální název

Excition-polariton edge of GaAs: MBE layers between multiple-quantum-well structures

Autoři

HUMLÍČEK, Josef; Luděk BOČÁNEK; Karel NAVRÁTIL; Petr PÁNEK a Radoslav ŠVEHLA

Vydání

Solid State Communications, UK, Elsevier Science, 1995, 0038-1098

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Velká Británie a Severní Irsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Označené pro přenos do RIV

Ano

Kód RIV

RIV/00216224:14310/95:00000342

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta
Změněno: 29. 2. 2000 16:33, prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.

Návaznosti

MSM 143100002, záměr
Název: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur