Investigation of strain relaxation of Ge 1-x Si x epilayers on Ge (001) by high-resolution x-ray reciprocal space mapping

LI, J.H. a Václav HOLÝ. Investigation of strain relaxation of Ge 1-x Si x epilayers on Ge (001) by high-resolution x-ray reciprocal space mapping. Semicond. Sci. Technol. UK: Publishing Ltd, 1995, roč. 10, -, s. 1621-1628. ISSN 0268-1242.

Základní údaje

Originální název

Investigation of strain relaxation of Ge 1-x Si x epilayers on Ge (001) by high-resolution x-ray reciprocal space mapping

Autoři

LI, J.H. a Václav HOLÝ

Vydání

Semicond. Sci. Technol. UK, Publishing Ltd, 1995, 0268-1242

---

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Velká Británie a Severní Irsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Kód RIV

RIV/00216224:14310/95:00000020

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

---

Návaznosti

MSM 143100002, záměr

Název: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur