Structural characterization of reactive ion-etched semicond uctor nanostructures using x-ray reciprocal space mapping

BAUER, G.; A. DARHUBER a Václav HOLÝ. Structural characterization of reactive ion-etched semicond uctor nanostructures using x-ray reciprocal space mapping. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1996, roč. 1996, č. 405, s. 359-371.

Základní údaje

Originální název

Structural characterization of reactive ion-etched semicond uctor nanostructures using x-ray reciprocal space mapping

Autoři

BAUER, G.; A. DARHUBER a Václav HOLÝ

Vydání

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1996

---

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Velká Británie a Severní Irsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Kód RIV

RIV/00216224:14310/96:00000410

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

---

Návaznosti

MSM 143100002, záměr

Název: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur