Elastic strains in GaAs/AlAs quantum dots studied by high resolution. X-ray diffraction

HOLÝ, Václav. Elastic strains in GaAs/AlAs quantum dots studied by high resolution. X-ray diffraction. Solid - State Electronics. 1996, roč. 40(1996), 1-8, s. 373-377.

Základní údaje

Originální název

Elastic strains in GaAs/AlAs quantum dots studied by high resolution. X-ray diffraction

Autoři

HOLÝ, Václav

Vydání

Solid - State Electronics, 1996

---

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Velká Británie a Severní Irsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Kód RIV

RIV/00216224:14310/96:00000414

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

---

Návaznosti

MSM 143100002, záměr

Název: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur