J 1998

Optical parameter analysis of thin absorbing films measured by the photovoltage method

PAVELKA, Radek; Jan HLÁVKA; Ivan OHLÍDAL a Helmut SITTER

Základní údaje

Originální název

Optical parameter analysis of thin absorbing films measured by the photovoltage method

Autoři

PAVELKA, Radek; Jan HLÁVKA; Ivan OHLÍDAL a Helmut SITTER

Vydání

Acta physica polonica A, Jaszowiec, Polsko, Intern.School on Physics of Semicond.Com, 1998

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10306 Optics

Stát vydavatele

Polsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Označené pro přenos do RIV

Ano

Kód RIV

RIV/00216224:14310/98:00003183

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

Změněno: 27. 2. 2001 16:09, prof. RNDr. Ivan Ohlídal, DrSc.

Anotace

V originále

A special method for measuring the optical parameters of thin absorbing films is presented. Within the method the radiation transmitted through the layer is measured. The transmitted radiation is detected by the space charge region which is located in the substrate at the interface with the layer. The space charge region acts as a photodetector placed just behind the layer. In this paper the method is applied to characterize a system of an absorbing ZnSe film on a GaAs substrate. The values of the optical parameters of the film are evaluated. This means that the value of the thickness and the spectral dependences of both the refractive index and extinction coefficient are determined. The spectral dependences of both optical constants are determined in the visible range. Finally, the comparison of our results obtained by this method with the results obtained from ellipsometric and reflectance measurements is presented.

Návaznosti

GA202/98/0988, projekt VaV
Název: Charakterizace vrstevnatých systémů s náhodně drsnými rozhraními pomocí optických a rtg metod
Investor: Grantová agentura ČR, Charakterizace vrstevnatých systémů s náhodně drsnými rozhraními pomocí optických a rtg metod