J 1998

X-ray reflectivity investigations of the interface morphology in strained SiGe/Si multilayers

HOLÝ, Václav; A.A. DARHUBER; J. STANGL; G. BAUER; J. NUTZEL et. al.

Základní údaje

Originální název

X-ray reflectivity investigations of the interface morphology in strained SiGe/Si multilayers

Autoři

HOLÝ, Václav; A.A. DARHUBER; J. STANGL; G. BAUER; J. NUTZEL a G. ABSTREITER

Vydání

Semicond. Sci. Technol. UK, Publishing Ltd, 1998, 0268-1242

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Velká Británie a Severní Irsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 1.338

Kód RIV

RIV/00216224:14310/98:00000030

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000074143200008

Klíčová slova anglicky

x-ray

Štítky

Změněno: 18. 4. 2000 10:19, prof. RNDr. Václav Holý, CSc.

Návaznosti

GA202/97/0003, projekt VaV
Název: Morfologie rozhraní heteroepitaxních multivrstev
Investor: Grantová agentura ČR, Morfologie rozhraní heteroepitaxních multivrstev