HADJADJ, A., Pavel SŤAHEL a Cabarocas ROCA. Optimum doping level in a-Si:H and a-SiC:H materialsJ. Online. Phil. Mag. B. 1998, roč. 830, s. 830. ISSN 0141-8637. [citováno 2024-04-23]
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Optimum doping level in a-Si:H and a-SiC:H materialsJ.
Autoři HADJADJ, A., Pavel SŤAHEL a Cabarocas ROCA
Vydání Phil. Mag. B, 1998, 0141-8637.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele Velká Británie a Severní Irsko
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 1.241
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova anglicky a-Si:H; a-SiC:H materials
Štítky a-Si:H, a-SiC:H materials
Změnil Změnil: doc. Mgr. Pavel Sťahel, Ph.D., učo 6599. Změněno: 16. 6. 1999 16:40.
VytisknoutZobrazeno: 23. 4. 2024 23:53