J 1998

Optimum doping level in a-Si:H and a-SiC:H materialsJ.

HADJADJ, A.; Pavel SŤAHEL a Cabarocas ROCA

Základní údaje

Originální název

Optimum doping level in a-Si:H and a-SiC:H materialsJ.

Autoři

HADJADJ, A.; Pavel SŤAHEL a Cabarocas ROCA

Vydání

Phil. Mag. B, 1998, 0141-8637

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10305 Fluids and plasma physics

Stát vydavatele

Velká Británie a Severní Irsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 1.241

Označené pro přenos do RIV

Ano

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

Klíčová slova anglicky

a-Si:H; a-SiC:H materials

Štítky

Změněno: 16. 6. 1999 16:40, doc. Mgr. Pavel Sťahel, Ph.D.