2022
Stabilization of the oxygen concentration in La0.3Sr0.7CoO3−δ thin films by 3 nm thin LaAlO3 capping layer
KIABA, Michal; Ondřej CAHA; Farzin ABADIZAMAN a Adam DUBROKAZákladní údaje
Originální název
Stabilization of the oxygen concentration in La0.3Sr0.7CoO3−δ thin films by 3 nm thin LaAlO3 capping layer
Autoři
KIABA, Michal (703 Slovensko, garant, domácí); Ondřej CAHA (203 Česká republika, domácí); Farzin ABADIZAMAN (364 Írán, domácí) a Adam DUBROKA (203 Česká republika, domácí)
Vydání
Thin Solid Films, Elsevier B.V. 2022, 0040-6090
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Švýcarsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 2.100
Kód RIV
RIV/00216224:14310/22:00128082
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000869931300002
EID Scopus
2-s2.0-85138044648
Klíčová slova anglicky
Pulsed laser deposition; Lanthanum strontium cobalt oxide; Perovskite; Capping layer; Cobaltates; Oxygen vacancies; Magnetometry; Ozone annealing
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 18. 1. 2023 11:07, Mgr. Marie Novosadová Šípková, DiS.
Anotace
V originále
We prepared La0.3Sr0.7CoO3−δ thin films by pulsed laser deposition on (LaAlO3)0.3(Sr2TaAlO6)0.7 substrates with and without a protective LaAlO3 capping layer and investigated their structural and magnetic properties. We observed that, in the uncapped films, the Curie temperature strongly decreased after annealing in helium atmosphere, and it significantly decreased even in samples stored for several weeks at room temperature. The decrease of the Currie temperature is caused by an increase of the concentration of oxygen vacancies, δ. However, we show that already a 3 nm thin LaAlO3 capping layer can essentially conserve δ at room temperature, and it considerably slows down the formation of oxygen vacancies at elevated temperatures.
Návaznosti
EF18_053/0016952, projekt VaV |
| ||
GA20-10377S, projekt VaV |
| ||
LQ1601, projekt VaV |
| ||
90110, velká výzkumná infrastruktura |
|