J 2024

WO3 thin films grown on Si substrates: potential high Tc ferromagnetic semiconductors

PHAM, Sy Nguyen a Hoa Hong NGUYEN

Základní údaje

Originální název

WO3 thin films grown on Si substrates: potential high Tc ferromagnetic semiconductors

Autoři

Vydání

Applied Physics A, Springer-Verlag GmbH, 2024, 0947-8396

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Německo

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

Impakt faktor

Impact factor: 2.800

Označené pro přenos do RIV

Ano

Kód RIV

RIV/00216224:14310/24:00137582

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

DOI

UT WoS

EID Scopus

Klíčová slova anglicky

Magnetic semiconductors; Room temperature ferromagnetism; Oxide thin films; Defects; Oxygen vacancies

Štítky

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 11. 7. 2025 12:48, Mgr. Petra Trembecká, Ph.D.

Anotace

V originále

Well-defined ferromagnetism (FM) with a very high Tc of about 800 K was found in laser-ablated WO3 films grown on Si wafer substrates. It seems that the observed magnetism is surface related, and oxygen vacancies might play an important role in inducing FM into these oxide semiconductors. The very high Tc FM is observed for the first time in nanosized-WO3, indicating a great potential for spintronic applications.

Návaznosti

EH22_008/0004572, projekt VaV
Název: Kvantové materiály pro aplikace v udržitelných technologiích
GA22-21547S, projekt VaV
Název: Původ feromagnetismu při pokojové teplotě v tenkých vrstvách nedopovaných polovodičových oxidů typu d0
Investor: Grantová agentura ČR, Původ feromagnetismu při pokojové teplotě v tenkých vrstvách nedopovaných polovodičových oxidů typu d0
90110, velká výzkumná infrastruktura
Název: CzechNanoLab