J 2025

Fingerprints of Mott and Slater gaps in the core-level photoemission spectra of antiferromagnetic iridates

NAKAGAWA, K.; A. HARIKI; T. OKAUCHI; H. FUJIWARA; K.-H. AHN et. al.

Základní údaje

Originální název

Fingerprints of Mott and Slater gaps in the core-level photoemission spectra of antiferromagnetic iridates

Autoři

NAKAGAWA, K.; A. HARIKI; T. OKAUCHI; H. FUJIWARA; K.-H. AHN; Y. MURAKAMI; S. HAMAMOTO; Y. KANAI-NAKATA; T. KADONO; A. HIGASHIYA; K. TAMASAKU; M. YABASHI; T. ISHIKAWA; A. SEKIYAMA; S. IMADA; Jan KUNEŠ; K. TAKASE a A. YAMASAKI

Vydání

Physical Review B, American Physical Society, 2025, 2469-9950

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

Impakt faktor

Impact factor: 3.700 v roce 2024

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

001491972200004

EID Scopus

2-s2.0-105004730815

Klíčová slova anglicky

Electronic structure; Antiferromagnets; Mott insulators; DFT+DMFT; X-ray photoemission electron microscopy

Štítky

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 29. 5. 2025 10:21, Mgr. Marie Novosadová Šípková, DiS.

Anotace

V originále

We present Ir 4 f core-level hard-x-ray photoemission spectroscopy (HAXPES) experiments conducted across the antiferromagnetic (AFM) ordering transition in Ruddlesden-Popper iridates Sr2IrO4 and Sr3Ir2O7. The Ir 4 f spectra exhibit distinct changes between the AFM and paramagnetic (PM) phases, with the spectral difference IPM - IAFM showing a contrasting behavior in the two compounds. By employing computational simulations using the local density approximation combined with the dynamical mean-field theory method, we elucidate that IPM - IAFM primarily reflects the Slater or Mott-Hubbard character of the AFM insulating state rather than material-specific details, such as crystal and/or band structures. This sensitivity to fine low-energy electronic structure arises from the dependence of charge-transfer responses to the sudden creation of a localized core hole on both metal-insulator transitions and long-range AFM ordering. Our result broadens the applications of core-level HAXPES as a tool for characterization of electronic structure in 5d transition-metal compounds.

Návaznosti

EH22_008/0004572, projekt VaV
Název: Kvantové materiály pro aplikace v udržitelných technologiích