2025
Fingerprints of Mott and Slater gaps in the core-level photoemission spectra of antiferromagnetic iridates
NAKAGAWA, K.; A. HARIKI; T. OKAUCHI; H. FUJIWARA; K.-H. AHN et. al.Základní údaje
Originální název
Fingerprints of Mott and Slater gaps in the core-level photoemission spectra of antiferromagnetic iridates
Autoři
NAKAGAWA, K.; A. HARIKI; T. OKAUCHI; H. FUJIWARA; K.-H. AHN; Y. MURAKAMI; S. HAMAMOTO; Y. KANAI-NAKATA; T. KADONO; A. HIGASHIYA; K. TAMASAKU; M. YABASHI; T. ISHIKAWA; A. SEKIYAMA; S. IMADA; Jan KUNEŠ; K. TAKASE a A. YAMASAKI
Vydání
Physical Review B, American Physical Society, 2025, 2469-9950
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 3.700 v roce 2024
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
001491972200004
EID Scopus
2-s2.0-105004730815
Klíčová slova anglicky
Electronic structure; Antiferromagnets; Mott insulators; DFT+DMFT; X-ray photoemission electron microscopy
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 29. 5. 2025 10:21, Mgr. Marie Novosadová Šípková, DiS.
Anotace
V originále
We present Ir 4 f core-level hard-x-ray photoemission spectroscopy (HAXPES) experiments conducted across the antiferromagnetic (AFM) ordering transition in Ruddlesden-Popper iridates Sr2IrO4 and Sr3Ir2O7. The Ir 4 f spectra exhibit distinct changes between the AFM and paramagnetic (PM) phases, with the spectral difference IPM - IAFM showing a contrasting behavior in the two compounds. By employing computational simulations using the local density approximation combined with the dynamical mean-field theory method, we elucidate that IPM - IAFM primarily reflects the Slater or Mott-Hubbard character of the AFM insulating state rather than material-specific details, such as crystal and/or band structures. This sensitivity to fine low-energy electronic structure arises from the dependence of charge-transfer responses to the sudden creation of a localized core hole on both metal-insulator transitions and long-range AFM ordering. Our result broadens the applications of core-level HAXPES as a tool for characterization of electronic structure in 5d transition-metal compounds.
Návaznosti
| EH22_008/0004572, projekt VaV |
|