2000
In-plane strain and shape analysis of Si/SiGe nanostructures by grazing incidence diffraction
ZHUANG, Y., U. PIETSCH, J. STANGL, Václav HOLÝ, N. DAROWSKI et. al.Základní údaje
Originální název
In-plane strain and shape analysis of Si/SiGe nanostructures by grazing incidence diffraction
Autoři
ZHUANG, Y., U. PIETSCH, J. STANGL, Václav HOLÝ, N. DAROWSKI, J. GRENZER, S. ZERLAUTH, F. SCHÄFFLER a G. BAUER
Vydání
Physica B, Amsterdam, Elsevier Science, 2000, 0921-4526
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Nizozemské království
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 0.893
Kód RIV
RIV/00216224:14310/00:00002999
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000086635300027
Klíčová slova anglicky
In-plane strain and shape analysis of Si/SiGe nanostructures by grazing incidence diffraction
Změněno: 27. 2. 2001 13:29, Marta Fědorová
Anotace
V originále
In-plane strain and shape analysis of Si/SiGe nanostructures by grazing incidence diffraction
Návaznosti
| MSM 143100002, záměr |
|