D 2000

MODIFICATIONS OF THE OPTICAL PARAMETERS OF THE SILICON THIN FILMS DUE TO THE LIGHT SCATTERING

SLÁDEK, Petr, Pavel SŤAHEL, Jiří ŠŤASTNÝ a Radek PŘIKRYL

Základní údaje

Originální název

MODIFICATIONS OF THE OPTICAL PARAMETERS OF THE SILICON THIN FILMS DUE TO THE LIGHT SCATTERING

Autoři

SLÁDEK, Petr (203 Česká republika, garant), Pavel SŤAHEL (203 Česká republika), Jiří ŠŤASTNÝ (203 Česká republika) a Radek PŘIKRYL (203 Česká republika)

Vydání

první. Brno, Electronic Devices and Systems Y2K, s. 202-206, 2000

Nakladatel

ing. Zdeněk Novotný CSc.

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Stať ve sborníku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Česká republika

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Kód RIV

RIV/00216224:14410/00:00005992

Organizační jednotka

Pedagogická fakulta

ISBN

80-214-1780-3

Klíčová slova anglicky

Light scattering; Si thin film ; Photocurrent

Štítky

Změněno: 20. 5. 2003 17:05, doc. RNDr. Petr Sládek, CSc.

Anotace

V originále

We use photocurrent and photothermal deflection spectroscopies to study defects in amorphous, polymorphous and microcrystalline Si thin films. Enhanced light absorption in mc-Si, nc-Si and pm-Si films is due to the several contributions, one of which is the light scattering. For the estimation of the influence of the light scattering on the standard CPM measurements we use the innovation method of the "outside" induced excess current, when the probing beam is impinging outside the region with the electric field (between electrodes).

Návaznosti

MSM 143100003, záměr
Název: Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek