2000
Origin of the metastability of phosphorus or boron doped a-Si:H films
SŤAHEL, Pavel, Petr SLÁDEK, Pere ROCA I CABARROCAS a Jiří ŠŤASTNÝZákladní údaje
Originální název
Origin of the metastability of phosphorus or boron doped a-Si:H films
Autoři
SŤAHEL, Pavel (203 Česká republika), Petr SLÁDEK (203 Česká republika, garant), Pere ROCA I CABARROCAS (250 Francie) a Jiří ŠŤASTNÝ (203 Česká republika)
Vydání
první. Brno, Electronic Devices and Systems Y2K - Proceedings, s. 207-212, 2000
Nakladatel
ing. Zdeněk Novotný, CSc.
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Stať ve sborníku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14410/00:00005993
Organizační jednotka
Pedagogická fakulta
ISBN
80-214-1780-3
Klíčová slova anglicky
amorphous silicon; doping; metastability
Štítky
Změněno: 20. 5. 2003 17:08, doc. RNDr. Petr Sládek, CSc.
Anotace
V originále
The effects of light-soaking on either phosphorus- or boron-doped a-Si:H films were studied as functions of the doping level and the temperature. The phosphorus-doped films present a remarkable stability although lightly phosphorus-doped ones show a decrease of their conductivity by five orders of magnitude when light-soaking is performed below 40 C. This effect is attributed to the formation of P-H complexes which are stable at low temperature only. Our results suggest that in both types of doped a-Si:H films the interaction of dopants with hydrogen plays an important role.
Návaznosti
| MSM 143100003, záměr |
|