2001
Optical characterization of DLC:Si films prepared by PECVD
FRANTA, Daniel; Vilma BURŠÍKOVÁ a Lenka ZAJÍČKOVÁZákladní údaje
Originální název
Optical characterization of DLC:Si films prepared by PECVD
Autoři
Vydání
Bratislava (Slovakia), Proceedings of 13th Symposium on Application of Plasma Processes, od s. 87-88, 2 s. 2001
Nakladatel
Dept. of Plasma Physics & Inst. of Physics, Comenius University Bratislava (Slovakia)
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Stať ve sborníku
Obor
10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele
Slovensko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Označené pro přenos do RIV
Ano
Kód RIV
RIV/00216224:14310/01:00004615
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
ISBN
80-223-157
Příznaky
Mezinárodní význam
Změněno: 17. 7. 2007 17:45, doc. Mgr. Lenka Zajíčková, Ph.D.
Anotace
V originále
Multi-sample modification of variable angle of incidence spectroscopic ellipsometry (VASE) was used to characterize silicon doped diamond like carbon (DLC:Si) films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). These films were prepared on wafers of silicon single crystal in the planar capacitively coupled RF reactor. The gas feed for deposition was a mixture of methane (CH4), hexamethyldisiloxane (HMDSO) and argon (Ar).
Návaznosti
| GA202/00/P037, projekt VaV |
| ||
| GA202/98/0988, projekt VaV |
| ||
| MSM 143100003, záměr |
| ||
| OC 527.20, projekt VaV |
|