2001
X-ray reflectivity of self-assembled structures in SiGe multilayers and comparison with atomic force microscopy
MEDUŇA, Mojmír, Václav HOLÝ a T. ROCHZákladní údaje
Originální název
X-ray reflectivity of self-assembled structures in SiGe multilayers and comparison with atomic force microscopy
Autoři
MEDUŇA, Mojmír (203 Česká republika, garant), Václav HOLÝ (203 Česká republika) a T. ROCH
Vydání
Journal of Applied Physics, USA, American institute of physics, 2001, 0021-8979
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 2.128
Kód RIV
RIV/00216224:14310/01:00005203
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000168130100025
Klíčová slova anglicky
SI(001) SURFACES; GE ISLANDS; SCATTERING; GROWTH; SUPERLATTICES
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 14. 2. 2007 09:49, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.
Anotace
V originále
We have studied the interface morphology of SiGe/Si multilayers by means of specular and nonspecular x-ray reflectivity under grazing incidence. The samples were grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates with (001) surface orientation and with different directions of the surface misorientation. X-ray reflectivity measurements in different azimuths are compared to data from atomic force microscopy, which are used to simulate the x-ray experiments. With this combination of experimental techniques we have determined the structural properties, in particular the ordering of different features present at the sample surface and inside the multilayer at the SiGe/Si layer interfaces.
Návaznosti
| GA202/00/0354, projekt VaV |
| ||
| VS96102, projekt VaV |
|