SLÁDEK, Petr, Pavel SŤAHEL a Jiří ŠŤASTNÝ. Modification of the optical parameters of silicon thin films due to light scattering. Journal of Non-Crystalline Solids. Nizozemsko: Elsevier Science B.V., 2002, roč. 2002, 299-302, s. 295-299. ISSN 0022-3093. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1016/S0022-3093(01)00952-8.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Modification of the optical parameters of silicon thin films due to light scattering
Autoři SLÁDEK, Petr (203 Česká republika, garant, domácí), Pavel SŤAHEL (203 Česká republika, domácí) a Jiří ŠŤASTNÝ (203 Česká republika, domácí).
Vydání Journal of Non-Crystalline Solids, Nizozemsko, Elsevier Science B.V. 2002, 0022-3093.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Nizozemské království
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 1.435
Kód RIV RIV/00216224:14410/02:00007015
Organizační jednotka Pedagogická fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1016/S0022-3093(01)00952-8
UT WoS 000175757400059
Klíčová slova anglicky silicon thin films; absorption coefficient; light sacttering
Štítky absorption coefficient, light sacttering, silicon thin films
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: Dana Nesnídalová, učo 831. Změněno: 3. 2. 2020 15:35.
Anotace
The enhanced light absorption observed in microcrystalline and polymorphous hydrogenated silicon films may partly be due to light scattering. To estimate the importance of this phenomenon. we used the new 'photocurrent induced by light scattering' method. The exciting beam is impinging on the sample outside the inter-electrode region: by changing the position of the exciting light spot and the photon energy. it is possible to estimate the light scattering effects. We applied this method to films of different materials and checked our conclusions by using the modified constant photocurrent method.
Návaznosti
MSM 143100003, záměrNázev: Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
OC 527.20, projekt VaVNázev: Plazmochemické depozice a plazmochemické opracování povrchu pevných substrátů
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Plazmochemické depozice a plazmochemické opracování povrchu pevných substrátů
VytisknoutZobrazeno: 27. 7. 2024 14:32