2004
X-ray Diffuse Scattering from Defects in Nitrogen-doped Czochralski Grown Silicon Wafers
KLANG, Pavel; Václav HOLÝ; Richard ŠTOUDEK a Jan ŠIKZákladní údaje
Originální název
X-ray Diffuse Scattering from Defects in Nitrogen-doped Czochralski Grown Silicon Wafers
Název česky
Rentgenový difúzní rozptyl od defektů v dusíkem legovaných křemíkových deskách připravených Czochralského metodou
Autoři
KLANG, Pavel; Václav HOLÝ; Richard ŠTOUDEK a Jan ŠIK
Vydání
2004. vyd. Rožnov pod Radhoštěm, Česká republika, Proceedings of The Ninth Scientific and Business Conference SILICON 2004, s. 53-53, 2004
Nakladatel
TECON Scientific, s.r.o.
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Stať ve sborníku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14310/04:00010934
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000230243500021
Klíčová slova anglicky
X-ray; Diffuse Scattering; Defect; Silicon; Nitrogen doping
Štítky
Změněno: 17. 3. 2006 12:58, Mgr. Pavel Klang, Ph.D.
V originále
We have studied nitrogen-doped silicon wafers (001) using triple-axis high-resolution X-ray diffraction (HRXRD). The reciprocal space intensity distributions from clusters, stacking faults and dislocation loops were modelled using the Krivoglaz theory and a continuum model of the defect deformation field. Good agreement of the theory with the experimental data was achieved for the model of dislocation loops. The symmetry of measured reciprocal space map determines the type of dislocation loops and from cross section we can determine their radius and concentration. These parameters were combined with the results from infrared absorption spectroscopy method.
Česky
Použitím rentgenové difrakce s vysokým rozlišením (HRXRD) jsme studovali dusíkem dopované křemíkové desky (001). Mapy rozložení intenzity v reciprokém prostoru od shluků defektů, vrstevných chyb a dislokačních smyček byly modelovány použitím Krivoglazovy teorie a kontinuálního modelu deformačního pole defektu. Dobré shody teorie s experimentálními daty bylo dosaženo pro dislokační smyčky. Symetrie naměřených map reciprokého prostoru určují typ dislokačních smyček a z radiálního řezu mapou můžeme určit jejich poloměr a koncentraci. Tyto výsledky jsme porovnaly s výsledky infračervené absorpční spektroskopie.
Návaznosti
| MSM 143100002, záměr |
|