2004
Infrared Absorption Spectroscopy of Oxygen Precipitates in Nitrogen-doped Czochralski Silicon
ŠTOUDEK, Richard, Michal LORENC a Josef HUMLÍČEKZákladní údaje
Originální název
Infrared Absorption Spectroscopy of Oxygen Precipitates in Nitrogen-doped Czochralski Silicon
Název česky
Infračervená absorpční spektroskopie kyslíkových precipitátů v dusíkem legovaném Czochralského křemíku
Autoři
ŠTOUDEK, Richard (203 Česká republika, garant), Michal LORENC (203 Česká republika) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika)
Vydání
Rožnov pod Radhoštěm, Česká republika, Proceedings of The Ninth Scientific and Business Conference SILICON 2004, od s. 146-150, 5 s. 2004
Nakladatel
TECON Scientific, s.r.o.
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Stať ve sborníku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14310/04:00010940
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova anglicky
Infrared; Silicon; Oxygen; Precipitates; Nitrogen doping
Štítky
Změněno: 10. 2. 2005 13:44, Mgr. Richard Štoudek, Ph.D.
V originále
We have analysed infrared transmittance spectra of Czochralski silicon. Using measurements at liquid nitrogen temperature we have identified the contribution of oxygen precipitates of different shapes. An effective-medium model of average dielectric constant has been used to determine the shape, volume fraction and stoichiometry of the precipitates. Standard and nitrogen-doped samples have been measured; we have observed a favourable influence of nitrogen on oxygen precipitation.
Česky
Analyzovali jsme infračervená spektra propustnosti Czochralského křemíku. Díky měrení na teplotě kapalného dusíku jsme identifikovali příspěvek kyslíkových precipitátů různých tvarů. Pro určení tvaru, objemového podílu a stechiometrie precipitátů byl použit model efektivního prostředí. Byly měřeny standartní a dusíkem legované vzorky; pozorovali jsme příznivý vliv dusíku na precipitaci kyslíku.
Návaznosti
| MSM 143100002, záměr |
|