BRANDEJSOVÁ, Eva, Jan ČECHAL, Olga BONAVENTUROVÁ ZRZAVECKÁ, Alois NEBOJSA, Petr TICHOPÁDEK, Michal URBÁNEK, Karel NAVRÁTIL, Tomáš ŠIKOLA a Josef HUMLÍČEK. In situ analysis of PMPSi thin films by spectroscopic ellipsometry. Jemná mechanika a optika. Přerov: Physical Institute, ASCR, 2004, roč. 9/2004, č. 9, s. 260-262. ISSN 0447-6441.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název In situ analysis of PMPSi thin films by spectroscopic ellipsometry
Název česky In situ analýza tenkých vrstev PMPSi metodou spektroskopické elipsometrie
Autoři BRANDEJSOVÁ, Eva (203 Česká republika), Jan ČECHAL (203 Česká republika), Olga BONAVENTUROVÁ ZRZAVECKÁ (203 Česká republika), Alois NEBOJSA (203 Česká republika), Petr TICHOPÁDEK (203 Česká republika), Michal URBÁNEK (203 Česká republika), Karel NAVRÁTIL (203 Česká republika), Tomáš ŠIKOLA (203 Česká republika) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, garant).
Vydání Jemná mechanika a optika, Přerov, Physical Institute, ASCR, 2004, 0447-6441.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Česká republika
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV RIV/00216224:14310/04:00010983
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova anglicky spectroscopic ellipsometry; poly(methyl-phenylsilane)
Štítky poly(methyl-phenylsilane), spectroscopic ellipsometry
Změnil Změnil: prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc., učo 307. Změněno: 9. 2. 2007 14:26.
Anotace
In the paper in situ monitoring of the UV-light-and thermal treatment of PMPSi thin films by real time spectroscopic ellipsometry and additional ex situ measurements are reported. In the in situ experiments the films were treated both under ultrahigh vacuum and oxygen atmosphere. The results of this study indicate systematic shift of the imaginary part of a complex dielectric function depending on the degree of treatment.
Anotace česky
V článku jsou prezentovány výsledky elipsometrických měření tenkých vrstev poly(methyl-phenylsilanu) ve spektrálním oboru (3,4 - 4,8 eV). Měření byla pořízena během působení UV záření a zvýšené teploty v ultravakuové komoře s možností připouštění kyslíku. V závislosti na typu a intenzitě působení dochází k systematickému posunu a změně tvaru spektra komplexní dielektrické funkce.
Návaznosti
MSM 262100002, záměrNázev: Progresivní funkčně gradientní a nanostrukturní materiály
VytisknoutZobrazeno: 11. 5. 2024 03:36