Influence of technological conditions on mechanical stresses inside diamond-like carbon films

OHLÍDAL, Ivan, Miloslav OHLÍDAL, Daniel FRANTA, Vlastimil ČUDEK, Vilma BURŠÍKOVÁ, Petr KLAPETEK a Kateřina PÁLENÍKOVÁ. Influence of technological conditions on mechanical stresses inside diamond-like carbon films. Diamond and Related Materials. New York: Elsevier Science S.A., 2005, roč. 14, 11-12, s. 1835-1838. ISSN 0925-9635.

Základní údaje

• Originální název: Influence of technological conditions on mechanical stresses inside diamond-like carbon films
• Název česky: Vliv technologických podmínek na mechanické pnutí v diamantu podobných vrstvách
• Autoři: OHLÍDAL, Ivan (203 Česká republika, garant), Miloslav OHLÍDAL (203 Česká republika), Daniel FRANTA (203 Česká republika), Vlastimil ČUDEK (203 Česká republika), Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Česká republika), Petr KLAPETEK (203 Česká republika) a Kateřina PÁLENÍKOVÁ (203 Česká republika).
• Vydání: Diamond and Related Materials, New York, Elsevier Science S.A. 2005, 0925-9635.

Další údaje

• Originální jazyk: angličtina
• Typ výsledku: Článek v odborném periodiku
• Obor: 10302 Condensed matter physics
• Stát vydavatele: Spojené státy
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• WWW: URL
• Impakt faktor: Impact factor: 1.988
• Kód RIV: RIV/00216224:14310/05:00014248
• Organizační jednotka: Přírodovědecká fakulta
• UT WoS: 000233983600022
• Klíčová slova anglicky: intrisic stress; DLC; PECVD
• Štítky: DLC, intrisic stress, PECVD
• Příznaky: Mezinárodní význam, Recenzováno

Anotace

In this paper the influences of the technological conditions, i.e. the influences of the hydrogen flow rate and deposition time, on the values of the intrinsic mechanical stresses inside the diamond-like carbon (DLC) thin films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition onto silicon substrates are studied. These stresses are measured by two-beam interferometry and optical profilometry based on chromatic aberration through the measurements of deformations of the silicon substrates originating in consequence of the film stresses. It is shown that the influence of the deposition time (i.e. film thickness) on the film stress is relatively slight in contrast to the influence of the hydrogen flow rate on this quantity. It is namely shown that the film stresses are influenced by the hydrogen flow rate values in a pronounced way within the interval of interest, i.e. within the interval 1-7 sccm. Moreover, it is shown that the method of optical profilometry used can be competitive to the method of two-beam interferometry from the practical point of view.

Anotace česky

V tomto článku jsou studovány vlivy technologických podmínek, tj. vlivy průtoku vodíku a doby deposice, na hodnoty vnitřního mechanického napětí uvnitř diamantu podobných uhlíkových (DLC) tenkých vrstev připravených plasmaticky podporovanou chemickou deposicí v parách na podložky tvořené monokrystalickým křemíkem. Toto napětí je měřeno pomocí dvoupaprskové interferometrie a optické profilometrie založené na chromatické aberaci prostřednictvím měření deformace podložek křemíku vznikající v důsledku napětí ve vrstvách. Je ukázáno, že vliv času deposice (tj. tloušťky) na napětí ve vrstvách je je relativně slabý na rozdíl od od vlivu průtoku vodíku. Je totiž ukázáno, že napětí ve vrstvách je ovlivněno průtokem vodíku výrazným způsobem v rámci intervalu, který nás zajímá, tj. v rámci intervalu 1-7 sccm. Navíc je ukázáno, že použitá metoda optické profilometrie může být konkurenční metodou pro metodu dvoupaprskové interferometrie z praktického hlediska.

Návaznosti

• MSM0021622411, záměr: Název: Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek