KRÁĽ, Martin, Andrej BUČEK, H. GLESKOVÁ, Mirko ČERNÁK, H. KOBAYASHI, Jaroslav RUSNÁK, Miroslav ZÁHORAN, Róbert BRUNER a Emil PINČÍK. Electronic Properties of Very Thin Native SiO2/a-Si:H Interfaces and Their Comparison With Those Prepared by Both Dielectric Barrier Discharge Oxidation at Atmospheric Pressure and by Chemical Oxidation. Acta Physica Slovaca. Slovakia, 2005, roč. 55/2005, č. 4, s. 373-378, 5 s. ISSN 0323-0465.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Electronic Properties of Very Thin Native SiO2/a-Si:H Interfaces and Their Comparison With Those Prepared by Both Dielectric Barrier Discharge Oxidation at Atmospheric Pressure and by Chemical Oxidation
Název česky Electronic Properties of Very Thin Native SiO2/a-Si:H Interfaces and Their Comparison With Those Prepared by Both Dielectric Barrier Discharge Oxidation at Atmospheric Pressure and by Chemical Oxidation
Autoři KRÁĽ, Martin, Andrej BUČEK, H. GLESKOVÁ, Mirko ČERNÁK, H. KOBAYASHI, Jaroslav RUSNÁK, Miroslav ZÁHORAN, Róbert BRUNER a Emil PINČÍK.
Vydání Acta Physica Slovaca, Slovakia, 2005, 0323-0465.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele Slovensko
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 0.359
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
UT WoS 000230405200003
Klíčová slova anglicky Thin; SiO2/a-Si:H; Interfaces
Štítky interfaces, SiO2/a-Si:H, Thin
Změnil Změnil: prof. RNDr. Mirko Černák, CSc., učo 54782. Změněno: 21. 3. 2011 17:25.
Anotace
Electronic Properties of Very Thin Native SiO2/a-Si:H Interfaces and Their Comparison With Those Prepared by Both Dielectricboth dielectric barrier discharge oxidation at atmospheric pressure and by chemical exidation
Anotace česky
Electronic Properties of Very Thin Native SiO2/a-Si:H Interfaces and Their Comparison With Those Prepared by Both Dielectric both dielectric barrier discharge oxidation at atmospheric pressure and by chemical exidation
VytisknoutZobrazeno: 27. 4. 2024 05:53