2005
Anisotropy of Absorption and Luminescence of Multilayer InAs/GaAs Quantum Dots
HUMLÍČEK, Josef, Vlastimil KŘÁPEK a Jan FIKARZákladní údaje
Originální název
Anisotropy of Absorption and Luminescence of Multilayer InAs/GaAs Quantum Dots
Název česky
Anizotropie absorpce a luminiscence mnohovrstevných kvantových teček InAs/GaAs
Autoři
HUMLÍČEK, Josef (203 Česká republika, garant), Vlastimil KŘÁPEK (203 Česká republika) a Jan FIKAR (203 Česká republika)
Vydání
USA, CP772, Physics of Semiconductors: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, od s. 753-754, 2 s. 2005
Nakladatel
American Institute of Physics
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Stať ve sborníku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14310/05:00014386
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
ISBN
0-7354-0257--4
UT WoS
000230723900339
Klíčová slova anglicky
quantum dots; photoluminescence
Štítky
Změněno: 1. 2. 2006 13:18, prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.
V originále
We report here photoluminescence studies of multilayer InAs quantum dot structures grown by MOVPE on (001)-oriented GaAs substrates. AFM measurements reveal prolate shapes of the dots, oriented along the [1-10] direction. Different orientations relative to the interfaces between the GaAs matrix and InAs dots are probed using polarized excitation and detection. We suggest a possible role of local fields in models of the matrix-dot mixtures in the in-plane anisotropic response.
Česky
Výsledky fotoluminiscenčního studia multivrstev s MOVPE kvantovými tečkami InAs/GaAs na substrátech GaAs s orientací (001). Měření AFM indikují protažené tvary teček, orientované podél směru (1-10).
Návaznosti
| MSM0021622410, záměr |
|