Ge/Si islands in a three-dimensional island crystal studied by
x-ray diffraction

J 2005

Ge/Si islands in a three-dimensional island crystal studied by x-ray diffraction

NOVÁK, Jiří; Václav HOLÝ; Julian STANGL; Thomas FROMHERZ; Zhong ZHENYANG et. al.

Základní údaje

Originální název

Ge/Si islands in a three-dimensional island crystal studied by x-ray diffraction

Název česky

Studium třídimnzionálního krystalu Ge/Si ostrůvků RTG difrakcí

Autoři

NOVÁK, Jiří; Václav HOLÝ; Julian STANGL; Thomas FROMHERZ; Zhong ZHENYANG; Chen GANG; Günther BAUER a Bernd STRUTH

Vydání

Journal of Applied Physics, USA, American institute of physics, 2005, 0021-8979

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 2.498

Kód RIV

RIV/00216224:14310/05:00014559

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000232558200023

Klíčová slova anglicky

ASSEMBLED GE ISLANDS; QUANTUM DOTS; STRAIN; NANOSTRUCTURES; STACKING; X-RAY DIFFRACTION

Štítky

ASSEMBLED GE ISLANDS, NANOSTRUCTURES, quantum dots, stacking, STRAIN, X-ray diffraction

Změněno: 12. 2. 2007 14:17, prof. RNDr. Václav Holý, CSc.

Anotace

ORIG CZ

V originále

An analysis of coplanar high-angle x-ray-diffraction data was performed and structural information on buried Ge islands forming a 3D island crystal was obtained. We have demonstrated that the combination of an analytical solution of the equilibrium equations of linear elasticity with kinematical scattering theory can be used to simulate the experimental x-ray-diffraction data. The strain state in the buried islands and their surrounding Si matrix was determined. The Ge content in the islands is found to be on the average 40%, and the island shape does not change dramatically during capping.

Česky

V článku je prezentována analýza experimentálních dat z měření na tří dimenzionálním krystalu Ge/Si(001) ostrůvků ve vysokoúhlé RTG difrakci. Prokázali jsme, že kombinace analytického řešení rovnic rovnováhy lineární elasticity a teorie kinematického rozptylu mohou být úspěšně použity k simulaci dat z RTG difrakce. Byly získány strukturní vlastnosti Ge ostrůvků, deformace krystalografické mřížky v ostrůvcích a okolní Si matici. Ukázalo se, že po zarostení do Si matice klesla koncentrace Ge v ostrůvcích na 40%, jejich tvar se však výrazně nezměnil.

Návaznosti

MSM0021622410, záměr

Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

Citovat

NOVÁK, Jiří; Václav HOLÝ; Julian STANGL; Thomas FROMHERZ; Zhong ZHENYANG; Chen GANG; Günther BAUER a Bernd STRUTH. Ge/Si islands in a three-dimensional island crystal studied by x-ray diffraction. Journal of Applied Physics. USA: American institute of physics, 2005, roč. 98, č. 7, s. 073517-73525. ISSN 0021-8979.

@article{616504,
   author = {Novák, Jiří and Holý, Václav and Stangl, Julian and Fromherz, Thomas and Zhenyang, Zhong and Gang, Chen and Bauer, Günther and Struth, Bernd},
   article_location = {USA},
   article_number = {7},
   keywords = {ASSEMBLED GE ISLANDS; QUANTUM DOTS; STRAIN; NANOSTRUCTURES; STACKING; X-RAY DIFFRACTION},
   language = {eng},
   issn = {0021-8979},
   journal = {Journal of Applied Physics},
   title = {Ge/Si islands in a three-dimensional island crystal studied by x-ray diffraction},
   url = {http://link.aip.org/link/?JAP/98/073517/1},
   volume = {98},
   year = {2005}
}

TY  - JOUR
ID  - 616504
AU  - Novák, Jiří - Holý, Václav - Stangl, Julian - Fromherz, Thomas - Zhenyang, Zhong - Gang, Chen - Bauer, Günther - Struth, Bernd
PY  - 2005
TI  - Ge/Si islands in a three-dimensional island crystal studied by x-ray diffraction
JF  - Journal of Applied Physics
VL  - 98
IS  - 7
SP  - 073517
EP  - 073517
PB  - American institute of physics
SN  - 00218979
KW  - ASSEMBLED GE ISLANDS
KW  - QUANTUM DOTS
KW  - STRAIN
KW  - NANOSTRUCTURES
KW  - STACKING
KW  - X-RAY DIFFRACTION
UR  - http://link.aip.org/link/?JAP/98/073517/1
N2  - An analysis of coplanar high-angle x-ray-diffraction data was performed and structural information on buried Ge islands forming a 3D island crystal was obtained. We have demonstrated that the combination of an analytical solution of the equilibrium equations of linear elasticity with kinematical scattering theory can be used to simulate the experimental x-ray-diffraction data. The strain state in the buried islands and their surrounding Si matrix was determined. The Ge content in the islands is found to be on the average 40%, and the island shape does not change dramatically during capping.
ER  -

NOVÁK, Jiří; Václav HOLÝ; Julian STANGL; Thomas FROMHERZ; Zhong ZHENYANG; Chen GANG; Günther BAUER a Bernd STRUTH. Ge/Si islands in a three-dimensional island crystal studied by x-ray diffraction. \textit{Journal of Applied Physics}. USA: American institute of physics, 2005, roč.~98, č.~7, s.~073517-73525. ISSN~0021-8979.

Přehled o publikaci