2005
High temperature investigations of Si/SiGe based cascade structures using x-ray scattering methods
MEDUŇA, Mojmír, Jiří NOVÁK, Claudiu FALUB, Gang CHEN, Günther BAUER et. al.Základní údaje
Originální název
High temperature investigations of Si/SiGe based cascade structures using x-ray scattering methods
Název česky
Vysokoteplotní studia kaskádových struktur na bázi Si/SiGe za použití metod rtg rozptylu
Autoři
MEDUŇA, Mojmír (203 Česká republika, garant), Jiří NOVÁK (203 Česká republika), Claudiu FALUB (642 Rumunsko), Gang CHEN (156 Čína), Günther BAUER (40 Rakousko), Soichiro TSUJINO (392 Japonsko), Detlev GRÜTZMACHER (276 Německo), Elisabeth MÜLLER (756 Švýcarsko), Yves CAMPIDELLI (250 Francie), Olivier KERMARREC (250 Francie), Daniel BENSAHEL (250 Francie) a Norbert SCHELL (276 Německo)
Vydání
J. Phys. D: Appl. Phys. Bristol, UK, IOP Publishing, Ltd. 2005, 0022-3727
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 1.957
Kód RIV
RIV/00216224:14310/05:00014587
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000230243500024
Klíčová slova anglicky
X-ray reflectivity; SiGe; Annealing; Diffusion
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 14. 2. 2007 09:39, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.
V originále
Temperature stability of SiGe/Si (80% Ge) structures was studied using x-ray reflectivity during in-situ annealing around temperature 790C.
Česky
Teplotní stabilita SiGe/Si struktur byla studována pomocí rtg reflektivity během žíhání in-situ v okolí teplot 790C.
Návaznosti
MSM 143100002, záměr |
| ||
MSM0021622410, záměr |
|