2005
High temperature investigations of Si/SiGe based cascade structures using x-ray scattering methods
MEDUŇA, Mojmír; Jiří NOVÁK; Claudiu FALUB; Gang CHEN; Günther BAUER et. al.Základní údaje
Originální název
High temperature investigations of Si/SiGe based cascade structures using x-ray scattering methods
Název česky
Vysokoteplotní studia kaskádových struktur na bázi Si/SiGe za použití metod rtg rozptylu
Autoři
MEDUŇA, Mojmír; Jiří NOVÁK; Claudiu FALUB; Gang CHEN; Günther BAUER; Soichiro TSUJINO; Detlev GRÜTZMACHER; Elisabeth MÜLLER; Yves CAMPIDELLI; Olivier KERMARREC; Daniel BENSAHEL a Norbert SCHELL
Vydání
J. Phys. D: Appl. Phys. Bristol, UK, IOP Publishing, Ltd. 2005, 0022-3727
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 1.957
Kód RIV
RIV/00216224:14310/05:00014587
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000230243500024
Klíčová slova anglicky
X-ray reflectivity; SiGe; Annealing; Diffusion
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 14. 2. 2007 09:39, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.
V originále
Temperature stability of SiGe/Si (80% Ge) structures was studied using x-ray reflectivity during in-situ annealing around temperature 790C.
Česky
Teplotní stabilita SiGe/Si struktur byla studována pomocí rtg reflektivity během žíhání in-situ v okolí teplot 790C.
Návaznosti
| MSM 143100002, záměr |
| ||
| MSM0021622410, záměr |
|