2005
Intersubband absorption of strain compensated, Si1-xGex valenceband quantum wells with 0.7<=x<=0.85
FROMHERZ, Thomas; Mojmír MEDUŇA; Günther BAUER; Alex BORAK; Claudiu FALUB et. al.Základní údaje
Originální název
Intersubband absorption of strain compensated, Si1-xGex valenceband quantum wells with 0.7<=x<=0.85
Název česky
Mezipásová absorbce napěťově kompenzovaných kvantových jam Si1-xGex s 0.7<=x<=0.85 ve valennčím pásu
Autoři
FROMHERZ, Thomas; Mojmír MEDUŇA; Günther BAUER; Alex BORAK; Claudiu FALUB; Soichiro TSUJINO; Hans SIGG a Detlev GRÜTZMACHER
Vydání
J. Appl. Phys. USA, American Institute of Physics, 2005, 0021-8979
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 2.498
Kód RIV
RIV/00216224:14310/05:00013134
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000231551700098
Klíčová slova anglicky
X-RAY REFLECTION; CASCADE STRUCTURES; POROUS SILICON; ELECTROLUMINESCENCE; EMITTERS; NARROW
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 14. 2. 2007 09:40, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.
V originále
Structural investigations by transmission electron microscopy and high-resolution x-ray reflection and diffraction showed that at a growth temperature around T=300C, samples in excellent compliance with the design parameters. Comparison of polarization-dependent intersubband absorption measurements with simulated intersubband absorption spectra has been done.
Česky
Strukturní studium pomocí tramsmisní elektronové mikroskopie a rtg reflexe a difrakce s vysokým rozlišením ukázaly, že při teplotě růstu v okolí T=300C jsou vzorky ve vynikajícím souhlasu s navrhovanými parametry. Byla provedena srovnání měření mezipásové absorbce v závislosti na polarizaci se simulovanými spektry mezipásové absorbce.
Návaznosti
| GP202/05/P286, projekt VaV |
| ||
| MSM0021622410, záměr |
|