2004
PtSi formation on silicon substrate
BOCHNÍČEK, ZdeněkZákladní údaje
Originální název
PtSi formation on silicon substrate
Název česky
Silicidace platiny na Si substrátu
Autoři
Vydání
Budapest, Hungary, 22nd European Crystallographic Meeting, Abstracts, s. 279-279, 2004
Nakladatel
ECM 22
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Stať ve sborníku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Maďarsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14310/04:00021655
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
ISBN
9639319406
Klíčová slova anglicky
PtSi; silicide; x-ray diffraction;
Štítky
Změněno: 28. 4. 2006 09:57, doc. RNDr. Zdeněk Bochníček, Dr.
V originále
Silicidation of Pt layer deposited on Silicon substrate has been studied by in-situ x-ray diffraction. From the kinetics of Pt2Si and PtSi formation using Kissinger analysis the activation energies has been calculated. It has bee found that silicidation is strongly influenced by the presence of nitrogen in annealing ambient.
Česky
Silicidace platiny na Si substrátu byla sledována metodou rtg difrakce při žíhání in-situ. Z kinetiky vzniku vrstev Pt2Si a PtSi byly za použití Kissingerovy analýzy určeny aktivační energie obou transformací. Bylo ukázáno, že silicidace je silně závislá na přítomnosti dusíku v atmosféře při žíhání.
Návaznosti
| MSM 143100002, záměr |
|