BOCHNÍČEK, Zdeněk. PtSi formation on silicon substrate. In ČECHAL, Jan, Tomáš ŠIKOLA a Jan KRČMÁŘ. 22nd European Crystallographic Meeting, Abstracts. Budapest, Hungary: ECM 22, 2004, s. 279. ISBN 9639319406.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název PtSi formation on silicon substrate
Název česky Silicidace platiny na Si substrátu
Autoři BOCHNÍČEK, Zdeněk (203 Česká republika, garant).
Vydání Budapest, Hungary, 22nd European Crystallographic Meeting, Abstracts, s. 279-279, 2004.
Nakladatel ECM 22
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Stať ve sborníku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Maďarsko
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV RIV/00216224:14310/04:00021655
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
ISBN 9639319406
Klíčová slova anglicky PtSi; silicide; x-ray diffraction;
Štítky PtSi, silicide, X-ray diffraction
Změnil Změnil: doc. RNDr. Zdeněk Bochníček, Dr., učo 438. Změněno: 28. 4. 2006 09:57.
Anotace
Silicidation of Pt layer deposited on Silicon substrate has been studied by in-situ x-ray diffraction. From the kinetics of Pt2Si and PtSi formation using Kissinger analysis the activation energies has been calculated. It has bee found that silicidation is strongly influenced by the presence of nitrogen in annealing ambient.
Anotace česky
Silicidace platiny na Si substrátu byla sledována metodou rtg difrakce při žíhání in-situ. Z kinetiky vzniku vrstev Pt2Si a PtSi byly za použití Kissingerovy analýzy určeny aktivační energie obou transformací. Bylo ukázáno, že silicidace je silně závislá na přítomnosti dusíku v atmosféře při žíhání.
Návaznosti
MSM 143100002, záměrNázev: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
VytisknoutZobrazeno: 25. 4. 2024 15:30